[發(fā)明專利]電可擦可編程只讀存儲器以及操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410098537.6 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103839587A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊光軍;胡劍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電可擦 可編程 只讀存儲器 以及 操作方法 | ||
1.一種電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述電可擦可編程只讀存儲器包括：多行及多列存儲單元多個字線，所述多個字線耦合到所述多行存儲單元多個位線，所述多個位線耦合到所述多列存儲單元多個控制柵，所述多個控制柵耦合到所述多行存儲單元所述電可擦可編程只讀存儲器的操作方法包括
選擇需進(jìn)行擦除操作的所述存儲單元
需擦除的所述存儲單元耦合的位線施加第一電壓，需擦除的所述存儲單元耦合的字線施加第二電壓，需擦除的所述存儲單元耦合的控制柵施加第三電壓，以對需擦除的所述存儲單元進(jìn)行擦除操作
其中，所述第一電壓與所述第三電壓之間的電壓差大于所述第二電壓與所述第三電壓之間的電壓差。?
2.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述存儲單元為雙浮柵、雙控制柵結(jié)構(gòu)，所述存儲單元包括用于存儲兩個相互獨(dú)立字節(jié)的兩個存儲子單元。?
3.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述第一電壓的取值范圍為3V～8V。?
4.如權(quán)利要求3所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述第一電壓為5.5V。?
5.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述第二電壓的取值范圍為0V～-5V。?
6.如權(quán)利要求5所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述第二電壓為-2V。?
7.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述第三電壓的取值范圍為-4V～-10V。?
8.如權(quán)利要求1所述的電可擦可編程只讀存儲器的操作方法，其特征在于，所述第三電壓為-6.5V。?
9.一種采用權(quán)利要求1至8中任一項所述的操作方法的電可擦可編程只讀存儲器。?
10.如權(quán)利要求9所述的電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于，每行的存儲單元之間直接串聯(lián)連接。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410098537.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡
