[發明專利]一種遠螯四重氫鍵單元化合物及其合成方法

有效

• 申請號: 201410097092.X
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN103897163A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 戴李宗;劉誠;袁叢輝;許一婷;曾碧榕;羅偉昂;常迎;陳國榮;毛杰
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: C08G63/91
• 分類號: C08G63/91;C08G63/08;C08G63/78;C07D239/47
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 陳永秀;馬應森

1.一種遠螯四重氫鍵單元化合物，其特征在于為季戊四醇-（聚己內酯-脲基嘧啶酮）₄，記為化合物C，其化學結構式如下：

其中R的化學結構式如下：

其中，聚合度n為5～25。

2.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成路線如下：

3.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于包括以下步驟：

1）中間連接劑季戊四醇-聚己內酯的合成：

在反應容器中加入季戊四醇、己內酯和辛酸亞錫，抽真空后充氬氣，在氮氣保護下反應，當反應物溫度降至60℃以下時停止反應，將反應后的聚己內酯在氮氣保護下，冷卻后用氯仿溶解，再用沉淀劑沉淀，抽濾后干燥，即得化合物A；

2）四重氫鍵單元脲基嘧啶酮的合成：

在反應容器中加入6-甲基異嘧啶和二異氰酸酯，抽真空后充氬氣，在氬氣保護下反應，當反應物溫度降至室溫時停止反應，將反應后的反應混合物用氯仿溶解，再用沉淀劑沉淀，抽濾后干燥，即得化合物B；

3）季戊四醇-（聚己內酯-脲基嘧啶酮）₄的合成：

在反應容器中加入化合物A和化合物B，加入CHCl₃使總化合物質量濃度為0.2～0.6g/mL，再加入按質量百分比為反應體系總質量1%～3%的二月桂酸丁基錫，經連續凍融脫氣后，充氮氣保護反應，當反應液溫度降到40～60℃后，加入硅膠60和催化量的二月桂酸丁基錫，繼續升溫反應，在反應液降至室溫后，抽濾，濾液用正己烷進行沉淀，干燥后即得目標產物遠螯四重氫鍵單元化合物，即季戊四醇-（聚己內酯-脲基嘧啶酮）₄。

4.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟1）中，所述己內酯與季戊四醇的摩爾比為20～100，所述辛酸亞錫的加入量按質量百分比為反應體系總質量的1%～3%。

5.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟1）中，所述抽真空后充氬氣是連續抽真空后充氬氣循環3～5次；所述反應可在100～160℃下反應8～24h；所述沉淀劑可采用去離子水；所述沉淀可沉淀2～3次；所述干燥的條件可在真空40℃下干燥12h。

6.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟2）中，所述6-甲基異嘧啶與二異氰酸酯的摩爾比為1∶（5～10）。

7.如權利要求1或6所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟2）中，所述二異氰酸酯選自六次甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯中的一種。

8.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟2）中，所述抽真空后充氬氣是連續抽真空后充氬氣循環3～5次；所述反應可在90～130℃下反應12～24h；所述沉淀劑可選自正己烷、正戊烷、石油醚中的一種；所述沉淀可沉淀2～3次；所述干燥的條件可在真空50℃下干燥12h。

9.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟3）中，所述中間連接劑季戊四醇-聚己內酯與四重氫鍵單元脲基嘧啶酮的摩爾比為1∶（5～10）；所述連續凍融脫氣最好3～5次。

10.如權利要求1所述遠螯四重氫鍵單元化合物的合成方法，其特征在于在步驟3）中，所述反應的條件是在60～70℃下反應12～24h；所述升溫反應的條件可升溫至70℃反應5～7h；所述沉淀可沉淀2～3次；所述干燥可在真空下50℃干燥12h。