[發明專利]電源裝置及照明裝置

有效

• 申請號: 201410095297.4
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104470048B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 北村紀之;三浦洋平;大武寬和;高橋雄治
• 申請（專利權）人: 東芝照明技術株式會社
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

本發明提供一種小型且高效的電源裝置及照明裝置。本發明實施方式的電源裝置包括：導電性的第一安裝基板；第一開關元件，安裝于所述第一安裝基板上；電流控制元件，安裝于所述第一安裝基板上，具有與所述第一安裝基板連接的主端子，與所述第一開關元件串聯連接，且限制所述第一開關元件的電流；以及第二開關元件，與所述電流控制元件串聯連接，且在所述第一開關元件斷開時流過電流。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種電源裝置及照明裝置。

背景技術

近年來，照明裝置中，照明光源正從白熾燈或熒光燈而替換為節省能源、長壽命的光源，例如發光二極管(Light-emitting diode：LED)。例如，也開發了電致發光(Electro-Luminescence，EL)或有機發光二極管(Organic light-emitting diode：OLED)等新的照明光源。

這些照明光源的亮度依賴于所流動的電流值。為了使照明裝置穩定地點燈，需要定電流輸出型的電源裝置。為了使所輸入的電源電壓符合LED等照明光源的額定電壓，還需要對電壓進行轉換。作為適合于高效率且省電化·小型化的電源，有斬波方式的直流-直流(direct current-direct current，DC-DC)轉換器等開關電源。

作為該開關電源中所使用的開關元件，有包含寬帶隙的化合物半導體的開關元件。其中，由氮化鎵(GaN)等氮化物半導體形成的高電子遷移率晶體管(High ElectronMobility Transistor：HEMT)正受到矚目。這是因為其具有高耐壓與低導通電阻特性，可進行高頻開關。只要導通電阻下降，高速開關成為可能，則可使構成輸出濾波器的電感器、電容器小型化。為了實現電源裝置整體的小型化，也需要元件自身的小型化。也需要同時地推進立足于氮化物半導體的特性的高效率化。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-198735號公報

[專利文獻2]日本專利特開2012-034569號公報

發明內容

本發明要解決的課題

本發所欲解決的課題在于提供一種小型且高效的電源裝置及照明裝置。

解決課題的手段

實施方式的電源裝置包括：導電性的第一安裝基板；第一開關元件，安裝于所述第一安裝基板上；電流控制元件，安裝于所述第一安裝基板上，具有與所述第一安裝基板連接的主端子，與所述第一開關元件串聯連接，且限制所述第一開關元件的電流；以及第二開關元件，與所述電流控制元件串聯連接，且在所述第一開關元件斷開時流過電流。所述電流控制元件為高電子遷移率晶體管，所述主端子為所述高電子遷移率晶體管的源極端子。

實施方式的照明裝置包括：所述電源裝置；以及照明負載，成為所述電源裝置的負載電路。

發明的效果

根據本發明，可提供小型且高效率的電源裝置及照明裝置。

附圖說明

圖1是例示包含第一實施方式的電源裝置的照明裝置的電路圖。

圖2是設置于第一實施方式的電源裝置的半導體封裝體的示意平面配置圖。

圖3(a)、圖3(b)是表示GaN HEMT的泄漏電流特性的特性圖。

圖4是設置于第二實施方式的電源裝置的半導體封裝體的示意平面配置圖。

圖5是半導體封裝體的示意電路圖。

圖6是例示包含第三實施方式的電源裝置的照明裝置的電路圖。