[發明專利]雪崩光電二極管檢測器系統有效
| 申請號: | 201410095180.6 | 申請日: | 2014-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN104049193B | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | J·C·阮;J·菲利普 | 申請(專利權)人: | 馬克西姆綜合產品公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文;蹇煒 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雪崩 光電二極管 檢測器 系統 | ||
1.一種用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,包括:
提供光學耦合至光源的雪崩光電二極管,由此所述光源向所述雪崩光電二極管提供輸入光學功率水平;
測量響應所述輸入光學功率水平而流動通過所述雪崩光電二極管的信號電流;
根據所述信號電流的測量來計算所述輸入光學功率水平的估計;以及
基于所述輸入光學功率水平的所述估計來調整施加至所述雪崩光電二極管的電壓偏置,
其中,對于等于或低于第一輸入光學功率水平的輸入光學功率水平,將所述電壓偏置調整為高電壓水平VH。
2.如權利要求1所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,對于等于或高于第二輸入光學功率水平的輸入光學功率水平,將所述電壓偏置調整為低電壓水平VL。
3.如權利要求1所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中:
對于等于或小于第一輸入光學功率水平的輸入光學功率水平,將所述電壓偏置調整為高電壓水平VH;
對于等于或大于第二輸入光學功率水平的輸入光學功率水平,將所述電壓偏置調整為低電壓水平VL;
所述第一輸入光學功率水平小于所述第二輸入光學功率水平;以及
所述高電壓水平VH大于所述低電壓水平VL。
4.如權利要求3所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,對于所述第一輸入光學功率水平和所述第二輸入光學功率水平之間的輸入光學功率水平,使通過所述雪崩二極管的所述信號電流保持恒定。
5.如權利要求4所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,對于所述第一輸入光學功率水平和所述第二輸入光學功率水平之間的輸入光學功率水平,將所述電壓偏置調整為在VH和VL之間。
6.如權利要求5所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,所述雪崩光電二極管在所述高電壓水平VH下呈現第一M因子。
7.如權利要求6所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,所述雪崩光電二極管在所述低電壓水平VL下呈現第二M因子。
8.如權利要求7所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,所述第一M因子大于所述第二M因子。
9.如權利要求8所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,在光學功率輸入在所述第一輸入光學功率水平和所述第二輸入光學功率水平之間時,所述雪崩光電二極管呈現所述第一M因子和所述第二M因子之間的M因子。
10.如權利要求2所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,VH大于VL。
11.如權利要求4所述的用于對雪崩光電二極管進行偏置的方法,其中,在小于所述第一輸入光學功率水平的輸入光學功率水平下由所述雪崩二極管呈現的第一M因子大于在大于所述第二輸入光學功率水平的輸入光學功率水平下由所述雪崩二極管呈現的第二M因子。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于馬克西姆綜合產品公司,未經馬克西姆綜合產品公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410095180.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種LED燈檢測機
- 下一篇:用于測量值和上下文信息的存儲模式





