[發明專利]圖案化多絕緣材質電路基板

有效

• 申請號: 201410094878.6
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN103917043B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 高鞠
• 申請（專利權）人: 蘇州晶品光電科技有限公司
• 主分類號: H05K1/05
• 分類號: H05K1/05
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種圖案化多絕緣材質電路基板，包括金屬基板，其特征在于：所述金屬基板上形成有樹脂絕緣層和高導熱絕緣層，并且所述高導熱絕緣層用作半導體元器件的基座，所述樹脂絕緣層用作其他電子元器件的基座，并且所述半導體元器件與所述其他電子元器件通過金屬連接體電性連接。

2.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述金屬基板上具有多個樹脂絕緣層和多個高導熱絕緣層；并且所述樹脂絕緣層之間相鄰設置或者間隔設置；所述高導熱絕緣層之間相鄰或者間隔設置；所述樹脂絕緣層與所述高導熱絕緣層之間相鄰設置或者間隔設置。

3.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述金屬連接體為采用銀、金或銅的引線、隆起物和/或橋接物。

4.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述金屬基板由選自鋁、銅、鎳、鐵、金、銀、鈦、鉬、硅、鎂、鉛、錫、銦、鎵或者它們的合金材料制成。

5.根據權利要求4所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述金屬基板由銅或銅合金，鋁或鋁合金，單晶硅或多晶硅制成。

6.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述金屬基體經過表面處理工序，所述的表面處理工序包含粗化處理、酸洗、堿洗、酸蝕刻或者堿蝕刻工序中的任意一種或幾種。

7.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述金屬基體表面形成有金屬或非金屬過渡層。

8.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述高導熱絕緣層由陶瓷材料或非金屬單晶材料制成。

9.根據權利要求8所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述陶瓷材料選自氧化物、氮化物、碳化物或者它們的復合物的一種或幾種。

10.根據權利要求9所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述高導熱絕緣層的導熱系數的范圍為50～500W/mK。

11.根據權利要求10所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述高導熱絕緣層的厚度為20～500μm。

12.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述半導體元器件或其他電子元器件通過波峰焊接、回流焊接、共晶焊接或使用導電粘合劑與金屬導線或金屬連接柱連接。

13.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述樹脂絕緣層的熱導率為0.5W/mK～30W/mK。

14.根據權利要求14所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述樹脂絕緣層的厚度為20～500μm。

15.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述樹脂絕緣層為含有熱固性樹脂、固化劑和無機填料的樹脂固化物。

16.根據權利要求16所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述無機填料選自二氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅或氮化硼中的一種或幾種。

17.根據權利要求1所述的圖案化多絕緣材質電路基板，其特征在于：所述半導體芯片為逆變器電路中IGBT?bipolar芯片、CPU芯片、無線通訊芯片、管理芯片或其它半導體芯片。