[發(fā)明專利]在金屬電容上電極刻蝕制程中改善TDDB性能的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410094237.0
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104916523B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭精衛(wèi);黨華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張妍;張靜潔

1.一種在金屬電容上電極刻蝕制程中改善TDDB性能的方法，其特征在于，該方法包含以下步驟：

步驟1、對上電極進行光刻；

將沉積有鋁Al金屬層/氮化硅SiN電介質(zhì)層/氮化鈦TiN金屬層結(jié)構(gòu)的晶片放入ET刻蝕機臺的刻蝕腔體內(nèi)，在氮化鈦TiN金屬層表面設(shè)置光刻膠，采用等離子體刻蝕的方法，對氮化硅SiN電介質(zhì)層和氮化鈦TiN金屬層進行刻蝕，把事先定義好的圖形轉(zhuǎn)移到金屬/電介質(zhì)/金屬的結(jié)構(gòu)表面形成電容器件；

步驟2、去除光刻膠；

采用干法去除大部分光刻膠后，再采用化學(xué)溶劑濕法清洗去除剩余的光刻膠；

步驟3、對電容器件表面進行混合氣體處理；

對電容器件表面進行混合氣體處理，混合氣體中的主要反應(yīng)氣體是氧氣O₂，利用O₂和H離子反應(yīng)，去除在步驟1的蝕刻和步驟2的清洗過程中引入的H離子；

步驟4、測量剩余電介質(zhì)的厚度；

清洗后監(jiān)控剩余的電介質(zhì)層的厚度T，以表征ET刻蝕機臺是否穩(wěn)定；

步驟5、刻蝕后檢查；

刻蝕后檢查，對晶片表面和背面全面檢查。

2.如權(quán)利要求1所述的在金屬電容上電極刻蝕制程中改善TDDB性能的方法，其特征在于，所述的混合氣體包含氧氣O₂和氫氣H₂，或者包含氧氣O₂和氮氣N₂。