[發明專利]一種GaN(綠光)量子阱結構的生長方法有效
| 申請號: | 201410090733.9 | 申請日: | 2014-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN103811600A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 林長軍 | 申請(專利權)人: | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/06 |
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| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gan 量子 結構 生長 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體行業LED外延工藝制程技術領域,具體為一種GaN(綠光)量子阱結構的生長方法。
背景技術
LED是英文Light?Emitting?Diode(發光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料,置于一個有引線的架子上,然后四周用環氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以LED的抗震性能好,可以直接將電轉換為光。當它處于正向工作狀態時(即兩端加上正向電壓),電流從LED陽極流向陰極時,半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光線,光的強弱與電流有關。
GaN是極穩定的化合物和堅硬的高熔點材料,也是直接躍遷的寬帶隙半導體材料,不僅具有良好的物理和化學性質,而且具有電子飽和速率高、熱導率好、禁帶寬度大、介電常數小和強的抗輻照能力等特點,可用來制備穩定性好、壽命長、耐腐蝕和耐高溫的大功率器件,目前廣泛應用于光電子、藍綠光LED、高溫大功率器件和高頻微波器件等光電器件。
目前LED外延生產的工藝制程,最后封裝后的亮度較低,尤其是綠光GaN。電子與空穴在量子阱最后兩個阱處復合發光,電子在能級躍遷一直存在問題,導致大量電子無法躍遷。不能與空穴復合,從而出現發光效率不高,目前大致水平為60%-70%。
發明內容
本發明所解決的技術問題在于提供一種GaN(綠光)量子阱結構的生長方法,以解決上述背景技術中的問題。
本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現:一種GaN(綠光)量子阱結構的生長方法,其GaN量子阱結構自下而上依次為襯底、低溫氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、階段式量子阱層、P型氮化鎵層和P型接觸層,所述生長方法包括如下步驟:在高純氮氣的條件下,凈化襯底,然后依次在凈化后的襯底上生長高溫氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、階段式量子阱層、P型鋁鎵氮層和P型接觸層,其具體生長方法為:
(1)將襯底材料在氫氣氣氛里進行清潔處理,溫度為1100-1180℃,壓力為500-800r/min;
(2)高溫緩沖層生長:生長一層解決晶格適配過大的緩沖層,即清潔處理結束后,將溫度調節為950-1000℃,在Ⅴ/Ⅲ摩爾比為500-2800的條件下外延生長厚度為0.4-1.2um的高溫不摻雜GaN,此生長過程中,生長壓力為200-400Torr;
(3)N型層生長:生長一層摻雜濃度穩定的N型層,厚度為1.5-4.0um,生長溫度為1040-1180℃,生長壓力為350-450Torr,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為550-3200;
(4)淺量子阱SW生長:由6-8個周期的InxGa1-XN(0.04<x<0.4)/GaN多量子阱組成,其中阱的厚度為2-5nm,生長溫度為700-900℃,生長壓力為150-600Torr,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為350-43000,淺量子阱SW不會發光,主要為N-GaN電子提供電,容以及增加電流的分布,也成為N-GaN和MQW的緩沖層;
(5)階段式量子阱層MQW生長:由12-15個周期的InyGa1-yN(x<y<1)/GaN多量子阱組成,A層阱的厚度為4-8nm,生長溫度為840-920℃,生長壓力為200-500Torr,TMIN流量為500-600sccm/min,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為1000-4300;壘層厚度為4-15nm,生長溫度為720-820℃,生長壓力為100-500Torr,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為600-4300,在B層阱的厚度為3-6nm,生長溫度為780-840℃,生長壓力為200-500Torr,TMIN流量為400-550sccm/min,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為800-3600;壘層厚度為4-15nm,生長溫度為800-920℃,生長壓力為100-500Torr,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為600-4300;在C層阱的厚度為2-5nm,生長溫度為800-880℃,生長壓力為200-500Torr,TMIN流量為300-400sccm/minⅤ/Ⅲ摩爾比為600-3000,壘層厚度為4-15nm,生長溫度為820-920℃,生長壓力為100-500Torr,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為600-4300;在D層阱的厚度為2-4nm,生長溫度為860-920℃,生長壓力為200-500Torr,TMIN流量為100-300sccm/minⅤ/Ⅲ摩爾比為400-2400,壘層厚度為4-15nm,生長溫度為820-920℃,生長壓力為100-500Torr,Ⅴ/Ⅲ摩爾比為600-4300;
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