[發明專利]電平轉換電路有效
| 申請號： | 201410086115.7 | 申請日： | 2014-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN103825599B | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發明（設計）人： | 胡劍;楊光軍 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平 轉換 電路 | ||
1.一種電平轉換電路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；
所述第一PMOS管的源極連接襯底并適于輸入第一電壓，所述第一PMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的源極和第三PMOS管的襯底，所述第一PMOS管的柵極連接所述第四PMOS管的漏極和第二NMOS管的漏極；
所述第二PMOS管的源極連接襯底并適于輸入所述第一電壓，所述第二PMOS管的漏極連接所述第四PMOS管的源極和第四PMOS管的襯底，所述第二PMOS管的柵極連接所述第三PMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極；
所述第一NMOS管為在深N阱的NMOS管，所述第一NMOS管的源極連接所述第一NMOS管的襯底和第三NMOS管的漏極；
所述第二NMOS管為在深N阱的NMOS管，所述第二NMOS管的源極連接所述第二NMOS管的襯底和第四NMOS管的漏極；
所述第三NMOS管的源極連接襯底和地，所述第三NMOS管的柵極適于輸入輸入信號；
所述第四NMOS管的源極連接襯底和地，所述第四NMOS管的柵極適于輸入所述輸入信號的反相信號；
所述第一NMOS管的深N阱適于輸入第四電壓；
所述第三PMOS管的柵極適于輸入第二電壓；
所述第四PMOS管的柵極適于輸入第三電壓；
所述第一NMOS管的柵極適于輸入所述第四電壓；
所述第二NMOS管的柵極適于輸入第五電壓；
所述第二NMOS管的深N阱適于輸入所述第五電壓。
2.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，1/2*Vsp≤V11≤2/3*Vsp，V11為所述第二電壓的電壓值，Vsp為所述第一電壓的電壓值。
3.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，1/2*Vsp≤V12≤2/3*Vsp，V12為所述第三電壓的電壓值，Vsp為所述第一電壓的電壓值。
4.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，1/3*Vsp≤V21≤1/2*Vsp，V21為所述第四電壓的電壓值，Vsp為所述第一電壓的電壓值。
5.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，1/3*Vsp≤V22≤1/2*Vsp，V22為所述第五電壓的電壓值，Vsp為所述第一電壓的電壓值。
6.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第三PMOS管的柵極適于輸入第二電壓，所述第四PMOS管的柵極適于輸入第三電壓，所述第二電壓和第三電壓的電壓值相等。
7.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管的柵極適于輸入第四電壓，所述第二NMOS管的柵極適于輸入第五電壓，所述第四電壓和第五電壓的電壓值相等。
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