[發(fā)明專利]半導體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410086108.7
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN103824837A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設計）人: 劉張李
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/20;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括硅襯底、位于硅襯底第一表面上的埋氧層和位于埋氧層上的頂層硅；

在所述頂層硅內(nèi)及表面形成半導體器件；

在形成半導體器件后，由硅襯底的第二表面起，刻蝕硅襯底至露出埋氧層，形成開口，所述第二表面與第一表面相對設置；

在所述開口中形成陷阱層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成開口的步驟包括：

在所述硅襯底的第二表面形成光刻膠；

圖形化所述光刻膠以露出部分硅襯底，形成開口圖形；

以光刻膠為掩膜，刻蝕硅襯底，形成開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成陷阱層的步驟包括：

在所述硅襯底的第二表面以及開口中形成所述陷阱層；

平坦化所述陷阱層，保留位于所述開口中的陷阱層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述陷阱層的材料采用多晶硅或者非晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成陷阱層的步驟包括：使所述陷阱層將所述開口部分填充，所述開口在形成所述陷阱層后留有剩余空間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，使所述陷阱層將所述開口完全填充。

7.根據(jù)權(quán)利要求5述的制作方法，其特征在于，形成陷阱層的步驟之后還包括：在所述陷阱層表面覆蓋材料層，以填充開口的剩余空間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7述的制作方法，其特征在于，所述材料層為二氧化硅材料層。

9.一種半導體器件結(jié)構(gòu)，包括：

硅襯底；

埋氧層，位于所述硅襯底的第一表面；

頂層硅，位于所述埋氧層上；

半導體器件，位于頂層硅內(nèi)部或表面；

其特征在于，還包括：

開口，貫穿硅襯底的第二表面且露出所述埋氧層；所述第二表面與第一表面相對設置；

陷阱層，位于開口內(nèi)的埋氧層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開口中還包括材料層，所述材料層覆蓋于所述陷阱層表面。