[發明專利]閃存的數據修復方法

有效

• 申請號: 201410083702.0
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103811078A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 方亮
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種閃存的數據修復方法，其特征在于，包括：

提供閃存，所述閃存包括若干閃存單元，所述閃存單元包括：半導體襯底、位于半導體襯底上的字線、位于所述字線一側的半導體襯底上的第一浮柵結構、位于所述第一浮柵結構表面的第一控制柵結構、位于所述字線另一側的半導體襯底表面的第二浮柵結構、位于所述第二浮柵結構上的第二控制柵結構、位于第一浮柵結構遠離字線一側的半導體襯底內的第一摻雜區、位于第二浮柵結構遠離字線一側的半導體襯底內的第二摻雜區，所述第一浮柵作為邏輯數據區，當第一浮柵為邏輯“0”狀態、第二浮柵為邏輯“1”狀態時所述閃存單元存儲的數據為邏輯“0”，當第一浮柵為邏輯“1”狀態、第二浮柵為邏輯“0”狀態時所述閃存單元存儲的數據為邏輯“1”；

對所述閃存單元進行修復操作，所述修復操作包括：在第二控制柵上施加第一電壓，當第二浮柵結構的邏輯狀態為“1”時，所述第一電壓使第二浮柵結構下方的半導體襯底內形成反型層，在第二浮柵結構的邏輯狀態為“0”時，第二浮柵結構下方的半導體襯底無法形成反型層；在第一摻雜區上施加第二電壓，所述第二電壓能夠使半導體襯底內產生熱電子，從而在第二浮柵結構下方的半導體襯底內形成反型層時，產生從第一摻雜區端向第二摻雜區端流動的修復電流；在第一控制柵上施加第三電壓，所述第三電壓能夠使部分熱電子的運動方向發生改變而進入第一浮柵結構。

2.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，所述第一電壓的范圍為-2V～0V。

3.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，所述第二電壓的范圍為4V～6V。

4.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，所述第三電壓的范圍為7V～9V。

5.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，所述第三電壓大于第二電壓。

6.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，還包括：在第二摻雜區上施加第四電壓，所述第四電壓的范圍為0V～1V。

7.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，還包括：在字線上施加第五電壓，所述第五電壓高于使字線下方的半導體襯底發生反型的閾值電壓。

8.根據權利要求7所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，所述第五電壓的范圍為1V～2V。

9.根據權利要求1所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，所述修復操作持續的時間為1ms～10ms。

10.根據權利要求1至9中任一項權利要求所述的閃存的數據修復方法，其特征在于，對所述閃存中的所有閃存單元進行修復操作，恢復存儲數據發生變化的閃存單元內的存儲數據，而使存儲數據未發生變化的閃存單元內的存儲數據不受影響。