[發(fā)明專利]基于薄膜晶體管的微波毫米波集成電路、功率交換電路及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410077438.X | 申請日： | 2014-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN103811489B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 石以瑄;邱樹農(nóng);吳杰欣;邱星星;石宇琦 | 申請（專利權(quán)）人： | 石以瑄;邱樹農(nóng);邱星星;石宇琦 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 蘇州市新蘇專利事務(wù)所有限公司32221 | 代理人： | 徐鳴 |
| 地址： | 加拿大魁北克省*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 薄膜晶體管 微波 毫米波 集成電路 功率 交換 電路 及其 制作方法 | ||
1.一種具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：所述的薄膜晶體管由下述所構(gòu)成：
?一個基座，有一基座厚度；
一個第一介質(zhì)層，有第一介質(zhì)層厚；
一個第一柵極，有第一柵極頭部和第一柵極根部，該第一柵極部分被嵌在該第一介質(zhì)層中，該第一柵極根部有第一柵極根部長度及第一柵極根部厚度；
一個第三薄介質(zhì)層，有第三薄介質(zhì)層厚度；
一個第一半導(dǎo)體通道層，有第一半導(dǎo)體通道層厚度，該第一半導(dǎo)體通道層和第一柵極在其柵極長的方向的范圍和該第一柵極重疊；
一個源極層；
一個漏極層；
一個第四介質(zhì)層作為保護(hù)和鈍化之用，及
一層背面金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：其第一柵極頭部被嵌在該基座中，而第一柵極根部則嵌在該第一介質(zhì)層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：在該第一介質(zhì)層上沉積一具有第二介質(zhì)層厚度的第二介質(zhì)層，使其第一柵極頭部被嵌在該第一介質(zhì)層中而第一柵極根部則嵌在該第二介質(zhì)層中，該第二介質(zhì)層的材料選自下述材料組：氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化鋁，氮化鋁、氧化鉿，氧化鎂及其熔合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：所述的第一半導(dǎo)體通道層的材料選自下列材料組：金屬氧化物，金屬氮化物，金屬氮氧化物，其中所述的金屬則選自下述材料組：銦，鋅，錫，鎵及其熔合物，該金屬氧化物，金屬氮化物，金屬氮氧化物可以濺射，反應(yīng)濺射，離子濺射，分子束外延生長，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長來完成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：在所述的第一半導(dǎo)體通道層上另有一源極突出層和一漏極突出層，以減小漏電并增加擊穿電壓，其材料選自下列材料組：金屬氧化物，金屬氮化物，金屬氮氧化物，其中所述的金屬則選自下述材料組：銦，鋅，錫，鎵及其熔合物，并控制其導(dǎo)電系數(shù)以減小該源極及漏極之間的電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：所述基座，其材料選自下列材料組：氧化鋁，二氧化硅及塑料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，其特征在于：所述第一介質(zhì)層，第三薄介質(zhì)層及第四介質(zhì)層的材料選自下述材料組：氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化鋁，氮化鋁、氧化鉿，氧化鎂及其熔合物。
8.一種具有倒反T-形柵極或倒反Г-形柵極及平整通道層的薄膜晶體管的微波毫米波集成電路及功率交換電路，且其基座不需以研磨蝕刻打薄，其特征在于：所述的薄膜晶體管由下述所構(gòu)成：
一個基座，有一基座厚度；
一個第一介質(zhì)層，有第一介質(zhì)層厚；
一個第一柵極，有第一柵極頭部和第一柵極根部，該第一柵極頭部和第一柵極根部被嵌在該第一介質(zhì)層中，該第一柵極根部有第一柵極根部長度及第一柵極根部厚度；
一個第二薄介質(zhì)層，有第二薄介質(zhì)層厚度；
一個第一半導(dǎo)體通道層，有第一半導(dǎo)體通道層厚度，該第一半導(dǎo)體通道層和第一柵極在其柵極長的方向的范圍和該第一柵極重疊；
一個源極層；
一個漏極層；
一個第三介質(zhì)層作為保護(hù)和鈍化之用，及
一層背面金屬層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
