[發明專利]一種量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法在審
| 申請號： | 201410076085.1 | 申請日： | 2014-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN103887197A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 胡思平;陳俊;朱繼鋒 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 量測鍵合 器件 結構 上非鍵合 區域 尺寸 方法 | ||
1.一種量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一具有非鍵合區域的待測鍵合器件結構；
采用一光源照射所述待測鍵合器件結構，以在沿所述光源照射方向上所述非鍵合區域對應的位置處產生牛頓環；
通過量測所述牛頓環在與所述光源照射方向垂直的方向上的寬度，進而獲得所述非鍵合區域在垂直于所述光源照射方向上的寬度。
2.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述待測鍵合器件結構的襯底為晶圓或芯片。
3.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述光源發出的光線穿透所述待測鍵合器件結構后產生所述牛頓環。
4.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述光源為紅外光源。
5.如權利要求4所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述方法還包括：
采用所述紅外光源發出的單色紅外光線垂直照射所述待測鍵合器件結構，以在沿豎直方向上所述非鍵合區域對應的位置處產生牛頓環。
6.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，若所述非鍵合區域為位于所述待測鍵合器件結構上的密封的非鍵合區域，所述牛頓環為完整的牛頓環。
7.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，若所述非鍵合區域為位于所述待測鍵合器件結構上的非密封的非鍵合區域，所述牛頓環為不完整的牛頓環。
8.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述待測鍵合器件結構中單個器件結構的厚度小于或等于775μm。
9.如權利要求1所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述方法還包括：
通過顯微鏡量測所述牛頓環在與所述光源照射方向垂直的方向上的寬度，進而獲得所述非鍵合區域在垂直于所述光源照射方向上的寬度。
10.如權利要求9所述的量測鍵合器件結構上非鍵合區域尺寸的方法，其特征在于，所述顯微鏡為光學測量顯微鏡。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
