[發明專利]GaAs基PHEMT生物傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 201410072466.2
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104880493B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 王成艷;張楊;關敏;丁凱;張斌田;林璋;黃豐;曾一平
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G01N27/26
• 分類號: G01N27/26;G01N27/327
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種GaAs基PHEMT生物傳感器，用于檢測Hg²⁺，其特征在于，包括：

GaAs基PHEMT，其包括源、漏電極和柵極金屬電極，柵極金屬電極的面積為3000～3500μm²；

可特異性識別Hg²⁺的生物分子層，其形成于所述柵極金屬電極上，并能夠根據Hg²⁺的含量而使其電荷分布發生變化，從而影響GaAs基PHEMT的柵極電荷，使得GaAs基PHEMT的源漏電流發生變化。

2.如權利要求1所述的GaAs基PHEMT生物傳感器，其特征在于，還包括器件保所層，其位于源、漏電極和柵極金屬電極以外的區域表面上。

3.如權利要求1所述的GaAs基PHEMT生物傳感器，其特征在于，所述柵極金屬電極由Au構成。

4.如權利要求1所述的GaAs基PHEMT生物傳感器，其特征在于，所述特異性識別Hg²⁺的生物分子層是一端巰基修飾的由胸腺嘧啶(T)構成的DNA單鏈。

5.如權利要求1所述的GaAs基PHEMT生物傳感器，其特征在于，所述特異性識別Hg²⁺的生物分子層是一端巰基修飾、另一端羧基二茂鐵修飾的由胸腺嘧啶(T)構成的DNA單鏈。

6.一種制造GaAs基PHEMT生物傳感器的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、制備GaAs基PHEMT；

S2、在所述GaAs基PHEMT上制備源極、漏極和柵極金屬電極，柵極金屬電極的面積為3000～3500μm²；

S3、在所述GaAs基PHEMT的柵極金屬電極上，形成特異性識別Hg²⁺的生物分子層，其能夠根據Hg²⁺的含量而使其電荷分布發生變化，從而影響GaAs基PHEMT的柵極電荷，使得GaAs基PHEMT的源漏電流發生變化。

7.如權利要求6所述的制造GaAs基PHEMT生物傳感器的方法，其特征在于，所述柵極金屬電極由Au構成。

8.如權利要求6所述的制造GaAs基PHEMT生物傳感器的方法，其特征在于，所述步驟S3為：將一端巰基修飾的只含有T堿基的DNA單鏈固定在所述柵極金屬電極表面，并通過使用巰基乙醇阻塞未能與DNA單鏈結合的Au位點。

9.如權利要求6所述的制造GaAs基PHEMT生物傳感器的方法，其特征在于，所述步驟S3為：將一端巰基修飾、另一端羧基二茂鐵修飾的由胸腺嘧啶(T)構成的DNA單鏈固定到所述柵極金屬電極上。