[發明專利]一種新品n型半絕緣GaAs歐姆接觸電極材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201410069878.0
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN103794664A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 翟章印;胡小飛;陳貴賓
• 申請（專利權）人: 淮陰師范學院
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 淮安市科文知識產權事務所 32223
• 代理人: 陳靜巧

1.一種新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料，其特征在于：它的底層為n型半絕緣GaAs基片，基片上設置的兩個電極區上，鍍有鈷（Co）摻雜的非晶碳膜（a-C），非晶碳膜層上設置有鍍銀（Ag）層，由各自的非晶碳膜層及鍍銀層構成相對應的兩個電極。

2.根據權利要求1所述的一種新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料，其特征在于：所述非晶碳膜層厚35-45?nm；所述鍍銀層厚50-100nm。

3.根據權利要求1所述的一種新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料，其特征在于：所述n型半絕緣GaAs基片為未摻雜的n型半絕緣GaAs基片，其電阻率約為9.5×10⁷-5×10⁸Ω.cm。

4.制備一種新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料的方法，其特征在于：該方法的步驟是，首先，采用脈沖激光沉積法，在n型半絕緣GaAs基片上的兩個電極區鍍Co摻雜的非晶碳膜；然后在該非晶碳膜上采用真空熱蒸發方法鍍Ag，便制成新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料。

5.根據權利要求4所述的制備一種新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料的方法，其特征在于：所述鍍Co摻雜的非晶碳膜，是使用純度為99.99%的石墨和99.9%的金屬Co為靶源，將金屬Co片貼在石墨靶上，并通過靶和基片的自轉實現鍍膜過程中的均勻摻雜；所控制的相關參數為：Co摻雜量約10?at%（原子百分比）、激光能量450毫焦/脈沖、腔體真空度5×10^-5Pa、基片溫度450℃、靶與基片距離5.5cm；當鍍膜層厚度達到要求后，退火30分鐘、自然冷卻至室溫。

6.根據權利要求4所述的制備一種新品n型半絕緣GaAs的歐姆接觸材料電極的方法，其特征在于：所述真空熱蒸發方法鍍Ag是，將一段約50毫克、純度為99.9%的Ag，放入加熱舟內，腔內抽至背底真空為10^-4Pa，室溫下增大電流直至Ag蒸發，達到鍍銀層厚度要求即可。