[發明專利]基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410067361.8
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN103838044B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 劉冬妮;王強濤;金熙哲
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種基板及其制造方法，以及設有該基板的顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）由于具有體積小、功耗低、無輻射等優點，在平板顯示領域中占據了主導地位。

目前的液晶顯示器中，為了降低公共電極的電阻，會在基板中增設公共金屬層，并使該公共金屬層與公共電極并聯，以降低公共電極的電阻。但是，本發明人在實現本發明的過程中發現，現有技術至少存在以下問題：現有技術中，該公共金屬層通常與薄膜晶體管單元的柵極位于同一層，所以該公共金屬層會阻擋光的射出，導致液晶顯示器的開口率降低。

發明內容

本發明實施例提供了一種基板及其制造方法，以及設有該基板的顯示裝置，解決了現有技術中的公共金屬層會導致開口率降低的技術問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明提供一種基板，包括襯底基板，以及形成于所述襯底基板上的黑矩陣和公共金屬層；其中，所述公共金屬層與所述黑矩陣的圖形相同。

可選的，所述基板為彩膜基板，所述基板還包括形成于所述襯底基板上的彩膜層。

或者，所述基板為陣列基板，所述基板還包括形成于所述襯底基板上的薄膜晶體管單元。

在一個示例中，所述陣列基板還包括形成于薄膜晶體管單元上方的樹脂層，以及形成于所述樹脂層下方的彩膜層。

可選的，該陣列基板還包括第一透明電極和第二透明電極；可選的，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。

或者，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極。

本發明還提供一種基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，所述黑矩陣和所述公共金屬層的圖形相同。

進一步，所述制造方法還包括：

在襯底基板上形成彩膜層的圖形。

進一步，在所述在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形之前，還包括：

形成薄膜晶體管單元；

形成樹脂層的圖形；

在所述在襯底基板上形成黑矩陣和公共金屬層的圖形之后，還包括：

形成第一透明電極的圖形；

形成保護層的圖形；

形成第二透明電極的圖形。

進一步，在所述在襯底基板上形成薄膜晶體管單元之后，還包括：

形成彩膜層的圖形。

優選的，所述形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，具體為：

形成黑矩陣層；

利用掩膜版，對所述黑矩陣層進行光刻工藝，形成黑矩陣的圖形；

形成公共金屬層；

利用所述掩膜版，對所述公共金屬層進行光刻工藝，形成公共金屬層的圖形。

或者，所述形成黑矩陣和公共金屬層的圖形，具體為：

形成黑矩陣層；

在所述黑矩陣層上形成公共金屬層；

利用所述掩膜版，對所述公共金屬層進行光刻工藝，形成公共金屬層的圖形；

以所述公共金屬層的圖形作為掩膜，對所述黑矩陣層進行灰化工藝，形成黑矩陣的圖形。

本發明還提供一種顯示裝置，包括上述的基板。

與現有技術相比，本發明所提供的上述技術方案具有如下優點：本發明提供的技術方案中，形成了與黑矩陣的圖形相同的公共金屬層，該公共金屬層與公共電極電連接，因為公共金屬層的材質為金屬，所以方塊電阻低，故可降低公共電極的電阻。并且，該公共金屬層與黑矩陣的圖形相同，所以還保持了原有的高開口率，解決了現有技術中的公共金屬層會導致開口率降低的技術問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為本發明的實施例1所提供的彩膜基板的示意圖；

圖2a至圖2d為本發明的實施例1所提供的彩膜基板的制造過程的示意圖；

圖3a至圖3d為本發明的實施例1所提供的彩膜基板的另一種制造過程的示意圖；

圖4為本發明的實施例2所提供的陣列基板的示意圖；

圖5為本發明的實施例2所提供的陣列基板的另一示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述。

實施例1：