[發(fā)明專利]一種臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410062374.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103811303A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 穆敦發(fā);陳文錄;吳梅珠;徐杰棟;劉秋華;胡廣群;梁少文;吳小龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫江南計(jì)算技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 龔燮英 |
| 地址: | 214083 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 臺(tái)階 封裝 墊平 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路封裝領(lǐng)域,更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法。
背景技術(shù)
一些臺(tái)階封裝基板在設(shè)計(jì)時(shí),將貼芯片或焊接位置做成臺(tái)階狀(或凹槽),基板介質(zhì)10上臺(tái)階31處導(dǎo)體外露從而得到臺(tái)階處外露的導(dǎo)體30,做表面處理(鍍金或噴錫)后打線或焊接器件用,如圖1所示。由于該處臺(tái)階位置有控膠要求,在層壓時(shí)采用低流動(dòng)的半固化片20生產(chǎn)。為確保低流動(dòng)半固化片20填充均勻,在層壓時(shí)要加強(qiáng)緩沖作用,這樣臺(tái)階處容易塌陷變形從而形成臺(tái)階處塌陷40(如圖2所示),這樣平整度差,給后續(xù)器件焊接或打線都帶來(lái)問(wèn)題。
而且,由于臺(tái)階處塌陷變形,還容易造成上下兩層導(dǎo)體間短路。
在現(xiàn)有技術(shù)中,為了克服上述問(wèn)題,有時(shí)候會(huì)在臺(tái)階位置保留基材部分;并且使基材預(yù)盲銑,做到成品后再盲銑揭蓋露出臺(tái)階處導(dǎo)體。但是,如圖3、圖4所示,在臺(tái)階位置保留基材部分(即不去除臺(tái)階位置保留基材50),對(duì)基材厚度有嚴(yán)格要求,考慮到后續(xù)預(yù)盲銑深度控制,基材厚度需控制在0.25mm以上,但許多臺(tái)階板基材厚度在0.25mm以下。此外即算保留基材部分,但基材部分和臺(tái)階處導(dǎo)體間有一層粘接層挖掉,對(duì)于層間介厚較厚的情況,如大于0.1mm,基材部分和臺(tái)階處導(dǎo)體間有一層空隙較大,臺(tái)階還是會(huì)有一定的塌陷,仍舊存在臺(tái)階位置基材塌陷60。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠確保臺(tái)階位置平整無(wú)塌陷的臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法,其包括:
第一步驟,用于在基板介質(zhì)、導(dǎo)體層、半固化片層和上部基材層的疊層中銑切出臺(tái)階凹槽以形成臺(tái)階結(jié)構(gòu),從而在基板介質(zhì)上形成臺(tái)階處外露的導(dǎo)體;
第二步驟,用于在臺(tái)階位置布置填充物,其中填充物與基板介質(zhì)、導(dǎo)體層、半固化片層和上部基材層的材料不發(fā)生化學(xué)反應(yīng);
第三步驟,用于執(zhí)行層壓以便對(duì)半固化片進(jìn)行充分的加壓;
第四步驟,用于在層壓后移除填充物,從而露出臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,填充物的材料為柔性材料。
優(yōu)選地,填充物的材料為PTFE。
優(yōu)選地,填充物的高度等于臺(tái)階凹槽的深度。
優(yōu)選地,填充物的高度與臺(tái)階凹槽的深度之差的絕對(duì)值處于0.05mm以內(nèi)。
優(yōu)選地,填充物尺寸比臺(tái)階尺寸單邊小0.05-0.1mm。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供了一種臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法,其包括:
第一步驟,用于形成基板介質(zhì)、導(dǎo)體層、半固化片層和上部基材層的疊層,其中將要暴露的導(dǎo)體層凹槽位置布置有填充物,其中填充物與基板介質(zhì)、導(dǎo)體層、半固化片層和上部基材層的材料不發(fā)生化學(xué)反應(yīng);
第二步驟,用于執(zhí)行層壓以便對(duì)半固化片進(jìn)行充分的加壓;
第三步驟,用于在層壓后對(duì)加壓后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行盲銑,以露出填充物;
第四步驟,用于去除填充物,以露出臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,填充物的材料為柔性材料。
優(yōu)選地,填充物的材料為PTFE。
優(yōu)選地,填充物的高度等于臺(tái)階凹槽的深度。
優(yōu)選地,填充物的高度與臺(tái)階凹槽的深度之差的絕對(duì)值處于0.05mm以內(nèi)。
附圖說(shuō)明
結(jié)合附圖,并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述,將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征,其中:
圖1示意性地示出了臺(tái)階封裝基板。
圖2示意性地示出了臺(tái)階封裝基板的塌陷。
圖3示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的防止臺(tái)階封裝基板塌陷的方案。
圖4示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的防止臺(tái)階封裝基板塌陷的方案中形成的塌陷。
圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法的流程圖。
圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法的示意圖。
圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法的流程圖。
圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的臺(tái)階封裝基板臺(tái)階處墊平制作方法的示意圖。
需要說(shuō)明的是,附圖用于說(shuō)明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





