[發明專利]一種臺階封裝基板臺階處墊平制作方法有效
| 申請號： | 201410062374.6 | 申請日： | 2014-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN103811303A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 穆敦發;陳文錄;吳梅珠;徐杰棟;劉秋華;胡廣群;梁少文;吳小龍 | 申請（專利權）人： | 無錫江南計算技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 龔燮英 |
| 地址： | 214083 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 臺階 封裝 墊平 制作方法 | ||
1.一種臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于包括：
第一步驟，用于在基板介質、導體層、半固化片層和上部基材層的疊層中銑切出臺階凹槽以形成臺階結構，從而在基板介質上形成臺階處外露的導體；
第二步驟，用于在臺階位置布置填充物，其中填充物與基板介質、導體層、半固化片層和上部基材層的材料不發生化學反應；
第三步驟，用于執行層壓以便對半固化片進行充分的加壓；
第四步驟，用于在層壓后移除填充物，從而露出臺階結構。
2.根據權利要求1所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的材料為柔性材料。
3.根據權利要求1或2所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的材料為PTFE。
4.根據權利要求1或2所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的高度等于臺階凹槽的深度。
5.根據權利要求1或2所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的高度與臺階凹槽的深度之差的絕對值處于0.05mm以內。
6.根據權利要求1或2所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物尺寸比凹槽尺寸單邊小0.05-0.1mm。
7.一種臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于包括：
第一步驟，用于形成基板介質、導體層、半固化片層和上部基材層的疊層，其中將要暴露的導體層的導體區域位置的凹槽中布置有填充物，其中填充物與基板介質、導體層、半固化片層和上部基材層的材料不發生化學反應；
第二步驟，用于執行層壓以便對半固化片進行充分的加壓；
第三步驟，用于在層壓后對加壓后的結構進行盲銑，以露出填充物；
第四步驟，用于去除填充物，以露出臺階結構。
8.根據權利要求7所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的材料為柔性材料。
9.根據權利要求7或8所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的材料為PTFE。
10.根據權利要求7或8所述的臺階封裝基板臺階處墊平制作方法，其特征在于，填充物的高度等于臺階凹槽的深度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
