[發明專利]材料低溫優化方法及其裝置在審
| 申請號： | 201410061965.1 | 申請日： | 2014-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN104867844A | 公開（公告）日： | 2015-08-26 |
| 發明（設計）人： | 陳柏穎;陳俋瑾;陳俋錫 | 申請（專利權）人： | 陳柏穎 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人： | 張雅軍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 材料 低溫 優化 方法 及其 裝置 | ||
1.一種材料低溫優化裝置，其特征在于：包含：
一個本體單元，包括一個殼體，以及一個可分離地蓋設于該殼體的蓋體，該殼體與該蓋體并共同界定出一個密閉腔室；
一個用以使該密閉腔室中盛裝有預定量的流體的流體供應單元；
一個用以使該密閉腔室內的流體成為超臨界流體的超臨界催化單元，該超臨界催化單元包括一個設置于該本體單元并用以對該密閉腔室內的流體進行加熱作用的加熱器，以及一個設置于該本體單元并用以對該密閉腔室內的流體進行加壓作用的加壓器；
一個供電單元，設置于該本體單元外且具有一個正極與一個負極；以及
一個電極單元，設置于該殼體內且包括一個正電極件及一個負電極件，該正電極件與該負電極件分別電連接于該供電單元的該正極與該負極，該正電極件并用以承載一個待處理材料。
2.根據權利要求1所述的材料低溫優化裝置，其特征在于：該流體供應單元所盛裝的流體是水。
3.根據權利要求1所述的材料低溫優化裝置，其特征在于：該流體供應單元所盛裝的流體是二氧化碳與水的組合。
4.根據權利要求1所述的材料低溫優化裝置，其特征在于：該流體供應單元所盛裝的流體是二氧化碳與甲醇的組合。
5.一種材料低溫優化方法，其特征在于：包含：
一個備置步驟，備置一個密閉腔室，并于該密閉腔室內部設置一個正電極件及一個負電極件，該正電極件與該負電極件分別與一個供電單元的一個正極與一個負極電連接；
一個第一次超臨界流體清洗步驟，將一個待處理材料置于該正電極件上，使該密閉腔室內盛裝有預定量的超臨界流體，借由所述超臨界流體溶解該待處理材料表面雜質；
一個材料優化步驟，借由該供電單元供電，使得該正電極件與該負電極件通電，使得所述待處理材料表面進行雜質原子拔離作用；及
一個第二次超臨界流體清洗步驟，再次利用所述超臨界流體對已經材料優化步驟處理后的所述待處理材料進行表面清潔作業。
6.根據權利要求5所述的材料低溫優化方法，其特征在于：該超臨界流體是二氧化碳與水的組合。
7.根據權利要求5所述的材料低溫優化方法，其特征在于：該超臨界流體是二氧化碳與甲醇的組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
