[發明專利]短光脈沖產生裝置、太赫茲波產生裝置、成像裝置在審
| 申請號: | 201410061334.X | 申請日: | 2014-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN104009370A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 中山人司 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01S1/02 | 分類號: | H01S1/02;G01N21/17 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 脈沖 產生 裝置 赫茲 成像 | ||
1.一種短光脈沖產生裝置,其特征在于,包括:
光脈沖生成部,其具有量子阱結構,生成光脈沖;
頻率線性調頻部,其具有量子阱結構,對上述光脈沖的頻率進行線性調頻;
光分支部,其使進行了線性調頻的上述光脈沖分支;以及
群速度色散部,其具有被以進行模式耦合的距離配置且被上述光分支部分支出的多個上述光脈沖分別入射的多個光波導,針對上述分支出的多個光脈沖產生與波長對應的群速度差,
從被上述光分支部分支到入射至上述群速度色散部的上述多個光波導為止的多個光路中的上述光脈沖的光路長彼此相等。
2.根據權利要求1所述的短光脈沖產生裝置,其特征在于,
上述光分支部具有:第一半導體波導,其由半導體材料構成,被入射進行了線性調頻的上述光脈沖;和第二半導體波導以及第三半導體波導,它們由上述半導體材料構成,并從上述第一半導體波導分支,
上述第二半導體波導的長度和上述第三半導體波導的長度彼此相等。
3.一種短光脈沖產生裝置,其特征在于,包括:
光脈沖生成部,其具有量子阱結構,生成光脈沖;
頻率線性調頻部,其具有量子阱結構,對上述光脈沖的頻率進行線性調頻;
光分支部,其使進行了線性調頻的上述光脈沖分支;以及
群速度色散部,其具有被以進行模式耦合的距離配置且被上述光分支部分支出的多個上述光脈沖分別入射的多個光波導,針對上述分支出的多個光脈沖產生與波長對應的群速度差,
上述光分支部使上述分支出的多個光脈沖成為相互相反相位而產生入射至上述群速度色散部的光路差。
4.根據權利要求3所述的短光脈沖產生裝置,其特征在于,
上述光分支部具有:第一半導體波導,其由半導體材料構成,被入射進行了線性調頻的上述光脈沖;和第二半導體波導以及第三半導體波導,它們由上述半導體材料構成,并從上述第一半導體波導分支,
上述光路差通過上述第二半導體波導的長度和上述第三半導體波導的長度之差而產生。
5.根據權利要求3所述的短光脈沖產生裝置,其特征在于,
上述光分支部具有:第一半導體波導,其由半導體材料構成,被入射進行了線性調頻的上述光脈沖;第二半導體波導以及第三半導體波導,它們由上述半導體材料構成,并從上述第一半導體波導分支;第一電極,其對上述第二半導體波導施加電壓;和第二電極,其對上述第三半導體波導施加電壓。
6.一種太赫茲波產生裝置,其特征在于,包括:
權利要求1至5中任意一項所述的短光脈沖產生裝置、和被照射由上述短光脈沖產生裝置產生的短光脈沖而產生太赫茲波的光電導天線。
7.一種照相機,其特征在于,包括:
權利要求1至5中任意一項所述的短光脈沖產生裝置;
被照射由上述短光脈沖產生裝置產生的短光脈沖而產生太赫茲波的光電導天線;
對從上述光電導天線射出并透過了對象物的上述太赫茲波或者被對象物反射的上述太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部;以及
存儲上述太赫茲波檢測部的檢測結果的存儲部。
8.一種成像裝置,其特征在于,包括:
權利要求1至5中任意一項所述的短光脈沖產生裝置;
被照射由上述短光脈沖產生裝置產生的短光脈沖而產生太赫茲波的光電導天線;
對從上述光電導天線射出并透過了對象物的上述太赫茲波或者被對象物反射的上述太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部;以及
基于上述太赫茲波檢測部的檢測結果,生成上述對象物的圖像的圖像形成部。
9.一種測量裝置,其特征在于,包括:
權利要求1至5中任意一項所述的短光脈沖產生裝置;
被照射由上述短光脈沖產生裝置產生的短光脈沖而產生太赫茲波的光電導天線;
對從上述光電導天線射出并透過了對象物的上述太赫茲波或者被對象物反射的上述太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部;以及
基于上述太赫茲波檢測部的檢測結果,測量上述對象物的測量部。
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