[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410058151.2
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN104867831B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張翼英;尚飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成浮柵氧化層、浮柵多晶硅層、介質(zhì)層及控制柵多晶硅層；

2)于所述控制柵多晶硅層表面形成間隔排列的阻擋層，并于所述阻擋層兩側(cè)形成犧牲側(cè)墻；

3)以所述阻擋層及犧牲側(cè)墻為掩膜，對(duì)所述控制柵多晶硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕停止于所述介質(zhì)層；

4)去除所述犧牲側(cè)墻，于所述控制柵多晶硅層的側(cè)壁形成保護(hù)層；

5)以所述阻擋層為掩膜，對(duì)所述介質(zhì)層及浮柵多晶硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕停止于所述浮柵氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述浮柵氧化層為二氧化硅層，所述介質(zhì)層為二氧化硅-氮化硅-二氧化硅疊層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述阻擋層的材料為多晶硅、二氧化硅及氮化硅中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述浮柵多晶硅層及控制柵多晶硅層為P型摻雜的多晶硅，摻雜濃度為1E19～1E21/cm³。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述犧牲側(cè)墻的材料為絕緣介質(zhì)、聚合物、石墨及金屬中的一種或兩種以上的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟2)包括以下步驟：

2-1)形成覆蓋所述阻擋層的上表面及側(cè)壁、所述控制柵多晶硅層上表面的犧牲層；

2-2)去除所述阻擋層上表面及所述控制柵多晶硅層上表面的犧牲層，保留所述阻擋層側(cè)壁的犧牲層以形成犧牲側(cè)墻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟2-1)所述犧牲層為：a)采用材料為化學(xué)氣相淀積法或原子層沉積法制備的絕緣介質(zhì)；或b)采用物理氣相沉積法或原子層沉積法制備的金屬；或c)采用物理氣相沉積法制備的無(wú)定形碳；或d)采用旋涂法制備的聚合物；或以上a)、b)、c)、d)中兩種以上組成的疊層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟2-1)所述犧牲層為采用等離子體沉積工藝形成的聚合物，該聚合物的前驅(qū)物包括CH₄，或該聚合物的前驅(qū)物包括SiCl₄及O₂的組合物，或該聚合物的前驅(qū)物包括N₂。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟4)采用各向同性的濕法腐蝕或干法刻蝕去除所述犧牲側(cè)墻。