[發明專利]帶有源應變源的GeSnn溝道隧穿場效應晶體管有效
| 申請號： | 201410057722.0 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN103824885A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 劉艷;韓根全;王洪娟 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重慶華科專利事務所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有源 應變 gesnn 溝道 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種帶有源應變源的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，包括：
一n溝道（103），為GeSn單晶材料；
一絕緣介電質薄膜（105），位于溝道上；
一柵電極（104），位于所述絕緣介電質薄膜上；
一源極（101）和一漏極（106），均為單晶GeSn材料；
一源應變源（102），位于源極之上；
其中，源應變源的晶格常數比源極的晶格常數大，形成沿溝道方向的單軸壓應變，沿垂直溝道的平面內形成雙軸張應變。
2.如權利要求1所述的帶有源應變源的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述?n溝道的單晶GeSn材料通式為Ge1-xSnx，其中0≤x≤0.25。
3.如權利要求1所述的帶有源應變源的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述源極的單晶GeSn材料通式為Ge1-xSnx，其中0≤x≤0.25。
4.如權利要求2或3所述的帶有源應變源的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述源應變源采用的單晶半導體材料GeSn的通式為Ge1-ySny，其中0≤y≤0.25，y>x。
5.?如權利要求4任一項所述的帶有源應變源的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，其中源應變源通過半導體外延生長的技術生長在源極區域。
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