[發明專利]非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑

有效

• 申請號: 201410056536.5
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN103838085B
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 陳修寧;張艷華;黃志齊;黃京華;王淑萍;賀承相;李建
• 申請（專利權）人: 昆山市板明電子科技有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11
• 代理公司: 昆山四方專利事務所32212
• 代理人: 盛建德

1.一種非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，該促進劑包括由水溶性醇和水混合均勻配制而成的溶劑，其中水溶性醇占該溶劑總質量的50～95％，水占該溶劑總質量的5～50％，其特征在于：該促進劑還包括占該促進劑總質量0.05～1.0％且化學通式為(Ⅰ)的有機硅聚合物；

(R₃SiO_1/2)_a(R¹SiO_3/2)_b(R²SiO_3/2)_c(R³SiO_3/2)_d

(Ⅰ)

其中：

R為1～2個碳原子的烷烴基團，

R¹為含巰基的脂肪族基團或含巰基的芳香族基團；

R²為含芳胺基或含氮雜環的脂肪族基團；

R³為含乙烯基、丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基中的一種的脂肪族基團；

且a＝0～0.8、b+c+d＝0.2～0.98、c＝0.2～0.88、d＝0.02～0.4，a+b+c+d＝1。

2.根據權利要求1所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述有機硅聚合物為R₃SiOX、R¹Si(OX)₃、R²Si(OX)₃和R³Si(OX)₃的混合物在酸性條件下水解得到的產物，其中X為1～6個碳原子的烷烴基。

3.根據權利要求2所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述X為甲基或乙基。

4.根據權利要求3所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述R₃SiOX為三甲基乙氧基硅烷和三甲基甲氧基硅烷中的一種。

5.根據權利要求2所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述R¹Si(OX)₃為γ-巰丙基三乙氧基硅烷、γ-巰丙基三甲氧基硅烷、雙-[γ-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物、雙-[γ-(三甲氧基硅)丙基]四硫化物、雙-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-二硫化物和雙-[γ-(三甲氧基硅)丙基]-二硫化物中的一種。

6.根據權利要求2所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述R²Si(OX)₃為N-[3-(三乙氧硅烷基)丙基]-4,5-雙氫咪唑、3-(三甲氧基硅基)-丙氧基-2-羥丙基-1,3-二唑、對氨基苯基三甲氧基硅烷和5-(4(3-三甲氧基)丙氧基)苯基)-1H-四氮唑中的一種。

7.根據權利要求2所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述R³Si(OX)₃為γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷中的一種。

8.根據權利要求4至7中任一權利要求所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述R₃SiOX為三甲基乙氧基硅烷，所述R¹Si(OX)₃為γ-巰丙基三乙氧基硅烷，所述R²Si(OX)₃為優選為3-(三甲氧基硅基)-丙氧基-2-羥丙基-1,3-二唑，所述R³Si(OX)₃為γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷。

9.根據權利要求1所述非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑，其特征在于：所述水溶性醇為甲醇、乙醇、異丙醇和乙二醇中的一種。

10.根據權利要求1至9中任一權利要求所述的非蝕刻性光致抗蝕劑用附著力促進劑的應用，其特征在于：所述促進劑通過浸淋或噴淋方式中的一種施加至經預處理后的PCB銅層表面，其中PCB銅層表面的預處理為采用20～70ml/L的無機酸水溶液清洗。