[發明專利]去除鋁殘余缺陷的方法

有效

• 申請號: 201410053960.4
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN104851811B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 傅俊;王智東;王開立;戴海燕
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 牛崢,王麗琴

1.一種去除鋁殘余缺陷的方法，包括：

提供鋁墊制備完成后出現鋁殘余缺陷的基片，所述基片包括含有半導體芯片的基底、沉積于所述基底上的鋁墊以及殘留于所述基底表面的鋁殘余缺陷；

在所述鋁墊的側壁形成一保護層；

在所述鋁墊表面形成一光刻膠層；

以所述保護層和所述光刻膠層為掩膜，去除所述鋁殘余缺陷。

2.根據權利要求1所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于，所述的在所述鋁墊的側壁形成一保護層包括：

在整個所述基片表面沉積一保護層，以覆蓋所述基底的表面、所述鋁殘余缺陷的表面、所述鋁墊的表面和所述鋁墊的側壁；

采用干法蝕刻的方法去除所述基底表面、所述鋁殘余缺陷表面和所述鋁墊表面的保護層，并保留覆蓋于所述鋁墊側壁的保護層。

3.根據權利要1所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于，所述的在所述鋁墊表面形成一光刻膠層包括：

在整個所述基片表面涂覆光刻膠層，并對所述光刻膠層進行光刻和顯影以去除所述基底和鋁殘余缺陷表面的光刻膠層，保留鋁墊表面的光刻膠層。

4.根據權利要求1所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于，在去除所述鋁殘余缺陷之后還包括：

去除所述鋁墊表面的光刻膠層。

5.根據權利要求4所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于：

采用灰化的方法去除所述鋁墊表面的光刻膠層。

6.根據權利要求2所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于：

所述保護層材料為鈦和氮化鈦。

7.根據權利要求6所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于：

采用物理氣相沉積PVD方法進行所述保護層的沉積，采用PVD方法時，以鈦Ti為靶材，功率為5850～7150W，反應腔室壓力為400～500mTorr，溫度為25～35℃，通入Ar和N₂轟擊所述Ti靶材，其中Ar的流量為45～55sccm，N2的流量為90～110sccm，所沉積的保護層的厚度為500～600埃。

8.根據權利要求6所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于：

所述干法蝕刻采用反應離子刻蝕RIE方法進行，所述RIE采用CF₄、CHF₃和N₂氣體進行刻蝕，其中，CF₄流量為70～90sccm、CHF₃流量為25～40sccm、N₂流量為45～55sccm，功率為900～1100W，刻蝕的腔體氣體壓力為65～95mTorr。

9.根據權利要求6所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于：

采用濕法蝕刻的方法，去除所述鋁殘余缺陷。

10.根據權利要求9所述的去除鋁殘余缺陷的方法，其特征在于：

所述濕法蝕刻中，采用四甲基氫氧化銨堿性溶液作為刻蝕劑，所述四甲基氫氧化銨堿性溶液的濃度為2.37～2.39%，濕法刻蝕反應溫度為20～25℃，反應時間為2～15分鐘。