[發(fā)明專利]堆疊組及其制法與基板結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410051657.0
• 申請(qǐng)日: 2014-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN104810344B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李岳洋;洪良易
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

一種堆疊組及其制法與基板結(jié)構(gòu)，該堆疊組包括：該第一基板（即該基板結(jié)構(gòu)）以及設(shè)于該第一基板上的第二基板，該第一基板具有基板本體、設(shè)于該基板本體上的多個(gè)線路部與設(shè)于各該線路部上的表面處理層，該第二基板具有用以結(jié)合該線路部的多個(gè)導(dǎo)電凸塊，使該第二基板設(shè)于該第一基板上，且該表面處理層位于該導(dǎo)電凸塊與該線路部之間，并藉由各該線路部上的表面處理層的垂直投影面積小于或等于該導(dǎo)電凸塊的端面垂直投影面積的1.5倍，以于回焊該導(dǎo)電凸塊時(shí)，該導(dǎo)電凸塊的結(jié)構(gòu)不會(huì)分離，所以能避免該第一基板與該第二基板之間電性斷路或電性接觸不佳的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝制程，尤指一種堆疊組及其制法與基板結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

于覆晶封裝制程中，通過將半導(dǎo)體元件藉由焊錫材料結(jié)合并電性連接至一封裝基板(package substrate)上，再將封裝基板連同半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝。因此，現(xiàn)有半導(dǎo)體元件與封裝基板上均具有接觸墊，以供該封裝基板與半導(dǎo)體元件（晶片）藉由焊錫材料相互對(duì)接與電性連接。

詳細(xì)地，如圖1A所示，于該封裝基板的接觸墊100上形成表面處理層12，并于該半導(dǎo)體晶片的電極墊上形成凸塊底下金屬結(jié)構(gòu)（Under Bump Metallurgy,UBM），且于該凸塊底下金屬結(jié)構(gòu)上形成銅柱102，再形成焊錫材料103于該銅柱102上，使該焊錫材料103與該銅柱102構(gòu)成導(dǎo)電凸塊101。之后，如圖1B所示，將該導(dǎo)電凸塊101結(jié)合至該接觸墊100的表面處理層12上。之后，回焊（reflow）該焊錫材料103。

然而，于現(xiàn)有覆晶封裝制法中，該表面處理層12的材質(zhì)為化鎳浸鈀金（Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold,ENEPIG）或鎳金（Ni/Au），所以于該表面處理層12的布設(shè)的垂直投影面積B遠(yuǎn)大于該銅柱102的端面垂直投影面積R的情況下，例如B＞1.5R，當(dāng)進(jìn)行回焊制程時(shí)，該表面處理層12相較于該銅柱102會(huì)具有較大的表面拉力，導(dǎo)致該焊錫材料103會(huì)濕潤(rùn)（Wetting）擴(kuò)散至整個(gè)該表面處理層12的表面，致使該銅柱102與該焊錫材料103分離而形成不沾錫（Non-Wetting）的銅柱102，如圖1C所示，因而造成該封裝基板與該半導(dǎo)體晶片之間電性斷路或電性接觸不佳的情況。

因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)中的問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的目的為提供一種堆疊組及其制法與基板結(jié)構(gòu)，能避免第一基板與第二基板之間電性斷路或電性接觸不佳的問題。

本發(fā)明的堆疊組，包括：第一基板，其具有基板本體、設(shè)于該基板本體上的多個(gè)線路部與設(shè)于各該線路部上的表面處理層；以及至少一第二基板，其具有用以結(jié)合該線路部的多個(gè)導(dǎo)電凸塊，使該第二基板設(shè)于該第一基板上，且該表面處理層位于該導(dǎo)電凸塊與該線路部之間，又各該線路部上的表面處理層接觸該導(dǎo)電凸塊的垂直投影面積小于或等于該導(dǎo)電凸塊的端面垂直投影面積的1.5倍。

本發(fā)明還提供一種堆疊組的制法，包括：提供一第一基板及至少一具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊的第二基板，該第一基板具有基板本體與設(shè)于該基板本體上的多個(gè)線路部；形成表面處理層于各該線路部上，且各該線路部上的表面處理層欲接觸該導(dǎo)電凸塊的垂直投影面積小于或等于該導(dǎo)電凸塊的端面垂直投影面積的1.5倍；以及將各該導(dǎo)電凸塊結(jié)合該線路部，使該第二基板設(shè)于該第一基板上，且該表面處理層位于該導(dǎo)電凸塊與該線路部之間。

本發(fā)明另提供一種基板結(jié)構(gòu)，包括：基板本體，其表面上具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊；多個(gè)線路部，其設(shè)于該基板本體上；以及表面處理層，其設(shè)于各該線路部上，且各該線路部上的表面處理層的垂直投影面積小于或等于該導(dǎo)電凸塊的端面垂直投影面積的1.5倍。

前述的基板結(jié)構(gòu)中，該導(dǎo)電凸塊接觸結(jié)合于該表面處理層上。

前述的堆疊組及其制法與基板結(jié)構(gòu)中，該基板本體為導(dǎo)線架、線路基板、半導(dǎo)體基材或硅中介板。