[發明專利]薄膜晶體管的制作方法

無效

• 申請號: 201410050841.3
• 申請日: 2014-02-14
• 公開（公告）號: CN103811327A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 譚莉;林志明;林信安;胡威威
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底基板；

在所述基底基板上形成柵極金屬層；

對所述柵極金屬層進行圖案化，形成柵電極；

在所述柵極線上依序形成柵極氧化層、半導體層、以及歐姆接觸層；

在所述柵極絕緣層和所述歐姆接觸層上形成疊層導電膜，所述疊層導電膜具有依次疊層的第一Mo金屬層、Ag金屬層、以及第二Mo金屬層；

對所述疊層導電膜進行圖案化，形成漏電極和作為數據線的源電極；所述漏電極和所述源電極中的所述第一Mo金屬層、所述Ag金屬層、以及所述第二Mo金屬層由蝕刻液完成蝕刻。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述漏電極和所述源電極上形成具有接觸孔的鈍化層，所述接觸孔暴露所述漏電極或所述源電極；

在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極或所述源電極。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述提供所述基底基板包括：提供玻璃基板；在所述玻璃基板上形成緩沖氧化層。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述緩沖氧化層包括氮化硅層和位于所述氮化硅層之上的氧化硅層。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極金屬層是采用磁控濺射工藝形成在所述基底基板上。

6.如權利要求1或5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極金屬層為Al、Cu、Mo、Ag、MoW或Cr沉積的單層金屬膜，或者為Al、Cu、Mo、Ag、MoW或Cr任意組合的沉積層所構成的復合金屬膜。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極氧化層為氮化硅層。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述疊層導電膜是采用磁控濺射工藝形成的。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述蝕刻液為Al蝕刻液。