[發明專利]像素結構有效
| 申請號: | 201410050392.2 | 申請日: | 2014-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN103886837A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 陳雅鈴;羅敬凱;施嫚雯;許文曲 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;田景宜 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 | ||
1.一種像素結構,用以驅動一發光二極管,其特征在于,包括:
一驅動晶體管,具有第一端、第二端以及控制端,其第二端耦接至該發光二極管,其第一端接收一第一參考操作電壓,其控制端接收一偏壓電壓;
一偏壓電壓產生器,耦接該驅動晶體管,依據一第一參考電壓、一第二參考電壓、該第一參考操作電壓以及一顯示數據以產生該偏壓電壓;
一初始化開關,耦接在該偏壓電壓產生器與該第一參考電壓間,依據一初始化控制信號以導通或斷開;
一第一掃描開關,耦接在該偏壓電壓產生器與該第二參考電壓間,依據一前級掃描信號以導通或斷開;
一第二掃描開關,接收該顯示數據及一目前掃描信號,依據該目前掃描信號以導通或斷開;以及
一耦合開關,耦接在該偏壓電壓產生器以及該驅動晶體管的第一端間,依據一耦合控制信號以導通或斷開。
2.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,該第一參考電壓的電壓值低于該第一參考操作電壓。
3.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,該偏壓電壓產生器包括:
一電容,其第一端耦接至該初始化開關以及該耦合開關,其第二端耦接至該驅動晶體管的控制端;以及
一晶體管,具有第一端、第二端以及控制端,該晶體管的第二端與控制端共同耦接至該電容的第二端,該晶體管的第一端耦接至該第二掃描開關。
4.如權利要求3所述的像素結構,其特征在于,該偏壓電壓產生器在一初始化期間依據該第一參考電壓、該第二參考電壓以及該顯示數據來產生并調整該偏壓電壓,該偏壓電壓產生器并在一顯示期間依據該第一參考操作電壓來調整該偏壓電壓。
5.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于,在該初始化期間的一第一子期間時,該初始化開關以及該第一掃描開關被導通,該第一參考電壓及該第二參考電壓被提供至該偏壓電壓產生器,在該初始化期間的一第二子期間時,該初始化開關以及該第二掃描開關被導通,該第一掃描開關被斷開,且該顯示數據被提供至該偏壓電壓產生器以使該偏壓電壓依據該顯示數據被調整。
6.如權利要求4所述的像素結構,其特征在于,在該顯示期間,該耦合開關被導通,該第一掃描開關、該第二掃描開關以及該初始化開關被斷開,且該第一參考操作電壓被提供至該偏壓電壓產生器以調整該偏壓電壓,該驅動晶體管依據調整后的該偏壓電壓以產生驅動電流來驅動該發光二極管。
7.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,該初始化開關為一第一晶體管,具有第一端、第二端以及控制端,該第一晶體管的第一端接收該第一參考電壓,該第一晶體管的第二端耦接至該偏壓電壓產生器,該第一晶體管的控制端接收該初始化控制信號。
8.如權利要求7所述的像素結構,其特征在于,該第二掃描開關為一第二晶體管,具有第一端、第二端以及控制端,該第二晶體管的第一端接收該顯示數據,該第二晶體管的第二端耦接至該偏壓電壓產生器,該第二晶體管的控制端接收該目前掃描信號。
9.如權利要求8所述的像素結構,其特征在于,該第一掃描開關為一第三晶體管,具有第一端、第二端以及控制端,該第三晶體管的第一端耦接至該偏壓電壓產生器,該第三晶體管的第二端接收該第二參考電壓,該第三晶體管的控制端接收該前級掃描信號。
10.如權利要求9所述的像素結構,其特征在于,該耦合開關為一第四晶體管,具有第一端、第二端以及控制端,該第四晶體管的第一端耦接至該偏壓電壓產生器,該第四晶體管的第二端接收該第一參考操作電壓,該第四晶體管的控制端接收該耦合控制信號。
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