[發(fā)明專利]溝槽型功率器件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410047980.0
• 申請(qǐng)日: 2014-02-11
• 公開（公告）號(hào): CN104835740A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李理;馬萬里;趙圣哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種溝槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在具備溝槽的半導(dǎo)體襯底的所述溝槽內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電類型為第一導(dǎo)電類型；

向所述半導(dǎo)體襯底依次進(jìn)行第一次離子注入和第二次離子注入，所述第一次離子注入和所述第二次離子注入的雜質(zhì)均為第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，以形成導(dǎo)電類型為所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，其中，所述第二次離子注入的能量高于所述第一次離子注入的能量，所述第二次離子注入的劑量低于所述第一次離子注入的劑量；

向所述體區(qū)注入第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，并對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火處理，以形成位于所述體區(qū)內(nèi)且導(dǎo)電類型為所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一次離子注入之后，且所述向所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二次離子注入之前，還包括：

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行高溫退火處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二次離子注入之后，且所述向所述體區(qū)注入第一導(dǎo)電類型的離子之前，不對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行高溫退火處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次離子注入和所述第二次離子注入的能量為30kev～300kev。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次離子注入的雜質(zhì)和所述第二次離子注入的雜質(zhì)不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在具備溝槽的半導(dǎo)體襯底的所述溝槽內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成場(chǎng)氧化層；

通過刻蝕去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述場(chǎng)氧化層，以露出所述半導(dǎo)體襯底的表面；

對(duì)露出的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，形成所述溝槽；

去除所述場(chǎng)氧化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在具備溝槽的半導(dǎo)體襯底的所述溝槽內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)，具體包括：

在所述半導(dǎo)體襯底的表面和沿所述溝槽的壁面上，生成柵氧化層；

形成覆蓋所述柵氧化層的多晶硅層，且所述多晶硅層填充所述溝槽；

去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述多晶硅層，并保留填充在所述溝槽內(nèi)的所述多晶硅層，以在所述溝槽內(nèi)形成所述柵極結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在具備溝槽的半導(dǎo)體襯底的所述溝槽內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括：

在具備溝槽的所述半導(dǎo)體襯底的表面和沿所述溝槽的壁面上，形成犧牲氧化層；

去除所述犧牲氧化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述多晶硅層，并保留填充在所述溝槽內(nèi)的所述多晶硅層之后，還包括：

去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述柵氧化層，并保留位于所述溝槽的壁面上的所述柵氧化層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述形成導(dǎo)電類型為所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)之后，還包括：

形成覆蓋當(dāng)前整個(gè)器件表面的介質(zhì)層；

去除位于所述溝槽的槽口和所述源區(qū)上方的預(yù)設(shè)區(qū)域，以露出所述溝槽的槽口和所述源區(qū)的表面，形成柵極接觸孔和源極接觸孔；

形成柵極金屬層和源極金屬層，所述柵極金屬層填充所述柵極接觸孔且與所述溝槽內(nèi)的所述多晶硅層接觸，所述源極金屬層填充所述源極接觸孔且與所述源區(qū)接觸。