[發明專利]在石英基片上沉積金剛石膜的方法有效
| 申請號： | 201410047193.6 | 申請日： | 2014-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN103787585A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 鄭陽 | 申請（專利權）人： | 北京美順達技術開發有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/22 | 分類號： | C03C17/22;C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛強 |
| 地址： | 100079 北京市豐臺*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石英 基片上 沉積 金剛石 方法 | ||
1.在石英基片上制備金剛石膜的方法，包括如下步驟：
A.制備含有二氧化硅成分的溶膠，將所得溶膠密閉，恒定溫度下陳化；
B.將制備的溶膠在石英基片上成膜，形成含二氧化硅薄膜的石英基片；
C.在所述制備的溶膠中摻入納米金剛石微粉，在所述含二氧化硅薄膜的石英基片表面形成納米金剛石微粉薄膜；
D.在形成了含納米金剛石微粉薄膜的石英基片表面進行刻蝕處理，露出表面的納米金剛石顆粒，然后在石英基片的邊緣處涂上石蠟，在石英基片中心刻蝕二氧化硅薄膜。
E.在步驟D得到的含納米金剛石微粉薄膜的石英基片上生長金剛石膜。
2.根據權利要求1所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，在步驟A之前還包括步驟：
A0.將石英基片放入醇溶液中進行超聲清洗，然后用去離子水進行超聲洗滌，取出后烘干。
3.根據權利要求2所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，在步驟C和D之間還包括：
C0.在石英基片上制備多層具有濃度梯度的摻納米金剛石微粉的二氧化硅薄膜。
4.根據權利要求3所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，在步驟D和E之間還包括：
D0.將步驟D處理后的石英基片放入丙酮溶液中進行超聲清洗，然后再用去離子水進行超聲洗滌，取出后進行表面干燥處理。
5.根據權利要求3或4所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，步驟B、步驟C以及步驟C0進行之前先將溶膠進行超聲波處理，分散溶膠顆粒形成的不穩定的物理團聚；和
石英基片上成膜是在相對濕度小于50%的環境下進行。
6.根據權利要求5所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，步驟A中所述溶膠是通過向正硅酸乙酯溶液中滴加去離子水和無水乙醇，調節pH至3-5，再加入乙酰胺制得。
7.根據權利要求3或6所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，所述步驟B、步驟C以及步驟C0中甩膠機的轉速為2000-4000r/min，持續時間為20s；所述步驟C和步驟C0中摻入的納米金剛石微粉粒徑為5-50nm。
8.根據權利要求7所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，所述步驟C和步驟C0中制備摻納米金剛石微粉的二氧化硅薄膜后，將石英基片放入烘箱中在溫度400-600℃下，熱處理2小時。
9.根據權利要求3或8所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，所述步驟C0中形成的摻納米金剛石微粉的二氧化硅薄膜為1-4層。
10.根據權利要求9所述的在石英基片上制備金剛石膜的方法，其特征在于，步驟A中所述溶膠密閉后在50-100℃的溫度下，陳化兩天。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京美順達技術開發有限公司，未經北京美順達技術開發有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410047193.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種基施型花生專用摻混肥料及其制備方法
- 下一篇：用于調節污泥的組合物
