[發(fā)明專利]一種碳化硅功率器件結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410044259.6
• 申請日: 2014-01-30
• 公開（公告）號: CN103824878B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊勇雄;吳煜東;何多昌;蔣華平;李誠瞻;趙艷黎;吳佳;唐龍谷
• 申請（專利權(quán)）人: 株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/04
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,劉華聯(lián)

1.一種碳化硅功率器件結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

多個(gè)場限環(huán)，其通過摻雜間隔設(shè)置于外延層上；

摻雜區(qū)，其設(shè)置于所述外延層的上方；

其中，所述摻雜區(qū)是在所述外延層上通過再次外延得到。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜區(qū)包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)至少自最外側(cè)場限環(huán)的外側(cè)冶金結(jié)面向外延伸預(yù)定距離，所述第一摻雜區(qū)設(shè)置于其余區(qū)域，并且所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度，但小于所述場限環(huán)的摻雜濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)還設(shè)置于最外側(cè)主結(jié)與最外側(cè)場限環(huán)的外側(cè)冶金結(jié)面之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)還設(shè)置于所述場限環(huán)之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)還橫跨所述場限環(huán)的外側(cè)冶金結(jié)面，并且所述第二摻雜區(qū)自位于所述最外側(cè)主結(jié)和所述最外側(cè)場限環(huán)之間的中間場限環(huán)的外側(cè)冶金結(jié)面向外延伸預(yù)定距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與所述外延層的導(dǎo)電類型相同，所述第二摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與所述場限環(huán)的導(dǎo)電類型相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜區(qū)的厚度為100nm～5000nm。

9.一種碳化硅功率器件結(jié)終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在外延層上制作多個(gè)主結(jié)和多個(gè)場限環(huán)；

步驟2：外延生長摻雜區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟：

步驟3：對所述多個(gè)主結(jié)補(bǔ)充注入離子；

步驟4：制作掩膜，以在所述摻雜區(qū)形成第二摻雜區(qū)的注入窗口；

步驟5：離子注入，以形成所述第二摻雜區(qū)，其中所述摻雜區(qū)的未進(jìn)行離子注入的部分為第一摻雜區(qū)。