[發明專利]閃存存儲器裝置及閃存存儲器的抹除方法

有效

• 申請號: 201410041171.9
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN104810057B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 吳尚融;張雅俊;陳銘旭
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張然;李昕巍

本發明是一種閃存存儲器裝置及閃存存儲器的抹除方法，閃存存儲器具有配置在至少一井區中的多數個存儲單元。閃存存儲器的抹除方法的步驟包括：首先，針對閃存存儲器中的至少一井區中的存儲單元依據第一電氣信號執行抹除動作，并且，針對至少一井區進行分區，并獲得多數個子井區，再分別針對子井區中的存儲單元以依據第二電氣信號來執行抹除動作，其中，第一電氣信號供應的電流絕對值小于第二電氣信號供應的電流絕對值。

技術領域

本發明是有關于一種閃存存儲器裝置，且特別是有關于一種閃存存儲器裝置的存儲單元的抹除方法。

背景技術

隨著電子科技的演進，電子裝置成為人們生活中必要的工具。而為了提供長效且大量的數據儲存的功能，非易失性存儲器成為重要的數據儲存媒介。并且，在現今的電子產品中，閃存存儲器是為較為受歡迎的非易失性存儲器中的一個。

請參照圖1，圖1繪示現有技術中，閃存存儲器的存儲單元數量與臨界電壓的關系圖。其中，曲線C1表示閃存存儲器的存儲單元在處于被程序化狀態下，臨界電壓的電壓值與對應的存儲單元數量的關系曲線。而曲線C2則表示閃存存儲器的存儲單元在處于被抹除狀態下，臨界電壓的電壓值與對應的存儲單元數量的關系曲線。其中，現有技術多利用固定的一個抹除信號以提供足夠大的電流來對同一井區中的多個存儲單元進行一次性抹除的動作。

在現有技術的抹除方式下，因為每個存儲單元在進行抹除的過程中，其臨界電壓的改變速度上的不同，而造成曲線C2所分布的電壓區域ΔV過廣的現象。這是由于為了使所有的存儲單元都完成抹除的動作，而必須較長時間等待臨界電壓的改變速度較慢的存儲單元所造成的現象。在此現象中，臨界電壓的改變速度較快的存儲單元常會發生過抹除（overerase）的現象，而甚至產生位元線漏電的情況。并且，現有的抹除方式常需要伴隨后程序化（post-program）的動作來縮減其電壓區域ΔV，增加動作上的復雜度，并增加存儲單元的使用率，降低存儲單元的使用壽命。

發明內容

本發明提供一種閃存存儲器及其存儲單元的抹除方法，有效降低存儲單元發生過抹除（over erase）現象的可能性。

本發明的閃存存儲器的抹除方法中，閃存存儲器具有配置在至少一井區中的多數個存儲單元，而抹除方法的步驟包括：首先，針對閃存存儲器中的至少一井區中的存儲單元依據第一電氣信號執行抹除動作，并且，針對至少一井區進行分區，并獲得多數個子井區，再分別針對子井區中的存儲單元以依據第二電氣信號來執行抹除動作，其中，第一電氣信號供應的電流絕對值小于第二電氣信號供應的電流絕對值。

本發明的閃存存儲器裝置包括至少一井區以及存儲器控制器。井區包括多數個存儲單元，存儲器控制器耦接至少一井區的存儲單元。存儲器控制器執行抹除動作時，先針對閃存存儲器中的至少一井區中的存儲單元依據第一電氣信號執行抹除動作，且針對至少一井區進行分區以獲得多數個子井區，再分別針對子井區中的存儲單元以依據第二電氣信號來執行抹除動作。其中，第一電氣信號供應的電流絕對值小于第二電氣信號供應的電流絕對值。

基于上述，本發明通過兩階段式的抹除動作來進行閃存記憶裝置中的存儲單元的抹除動作。其中，第一階段利用電流絕對值較小的第一電氣信號來針對相同井區中的所有的存儲單元進行一次性的抹除動作，并在第二階段中，利用電流絕對值較大的第二電氣信號來針對井區中的多個子井區的存儲單元進行分區性的抹除動作。如此一來，正常的存儲單元與低電導的存儲單元對于抹除動作所產生的變化的均勻度可以得到控制，不致發生因為需要針對與低電導的存儲單元進行長時間的抹除動作而造成過抹除現象的發生。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1繪示現有技術中，閃存存儲器的存儲單元數量與臨界電壓的關系圖。

圖2繪示本發明一實施例的閃存存儲器的抹除方法的流程圖。