[發明專利]一種Ga-Sn共摻雜ZnO納米帶及其制備方法有效
| 申請號： | 201410036548.1 | 申請日： | 2014-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN103771491A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 于靈敏;范新會;雷曼;韋建松;劉盛;楊冰;嚴文 | 申請（專利權）人： | 西安工業大學 |
| 主分類號： | C01G9/02 | 分類號： | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人： | 黃秦芳 |
| 地址： | 710032 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ga sn 摻雜 zno 納米 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Ga-Sn共摻雜ZnO納米帶的制備方法，包括下述步驟：
(a)首先將剛玉管送入高溫水平管式爐中；
(b)將Zn粉(99.99?wt%)、Ga2O3粉(99.99?wt%)和Sn粉(99.99?wt%)粉按照1:0.05:0.05(摩爾比)的比例在研缽中研磨0.5-1h,?混合均勻后放置在氧化鋁小料舟的一側后，將其送入高溫水平管式爐的高溫加熱區；
(c)將剛玉管內抽真空，待真空度達到1-10Pa時，向剛玉管內以20-100?SCCM(standard?cubic?centimeters?per?minute)的流速通入純Ar，其環境壓力維持在4.0-4.5×102Pa；
(d)將爐體升溫到800-1000℃后將氬氣關閉，向剛玉管中以10-30?SCCM的流量通入純O2?環境壓力維持在1-10×102Pa，保溫20-60min后將系統關閉，待爐體冷卻，將小料舟拿出，刮下乳白色奶油狀沉積物即為所需的Ga-Sn共摻雜ZnO納米帶。
2.如權利要求1所述制備方法制得的Ga-Sn共摻雜ZnO納米帶。
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