[發明專利]聲表面波器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201410036354.1 | 申請日： | 2014-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN104810470A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發明（設計）人： | 鐘海艦;樊英民;劉爭暉;許耿釗;黃增立;徐科 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L41/18 | 分類號： | H01L41/18;H01L41/39;H03H9/145 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面波 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種聲表面波器件，包括壓電基底、聲表面波發生器及聲表面波接收器，所述聲表面波發生器與所述聲表面接收器相對設置在壓電基底上，所述聲表面波發生器用于產生聲表面波，所述聲表面波接收器用于接收聲表面波發生器產生的聲表面波，其特征在于，所述聲表面波發生器及聲表面波接收器的材料為石墨烯。
2.一種聲表面波器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：?提供一壓電基底；?將石墨烯薄膜覆蓋在壓電基底的表面；?刻蝕石墨烯薄膜，形成聲表面波發生器及聲表面波接收器，所述聲表面波發生器用于產生聲表面波，所述聲表面波接收器用于接收聲表面波發生器產生的聲表面波。
3.根據權利要求2所述的聲表面波器件的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜的制作方法包括如下步驟：?在石墨烯的生長襯底上沉積石墨烯薄膜；?去除生長襯底，得到石墨烯薄膜。
4.根據權利要求3所述的聲表面波器件的制備方法，其特征在于，去除所述生長襯底的方法包括如下步驟:?將帶有石墨烯薄膜的生長襯底置于腐蝕溶液中，所述腐蝕溶液能夠腐蝕所述生長襯底，得到懸浮在腐蝕溶液中的石墨烯薄膜。
5.根據權利要求3所述的聲表面波器件的制備方法，其特征在于，進一步包括如下步驟：使用壓電基底將懸浮在腐蝕溶液中的石墨烯薄膜撈起，形成表面覆蓋有石墨烯薄膜的壓電基底。
6.根據權利要求2所述的聲表面波器件的制備方法，其特征在于，所述刻蝕石墨烯薄膜的方法為電子束與各向異性相結合的方法。
7.根據權利要求2所述的聲表面波器件的制備方法，其特征在于，所述刻蝕石墨烯薄膜的方法為光刻蝕。
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