[發明專利]雙面光刻方法有效
| 申請號： | 201410036230.3 | 申請日： | 2014-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN104808450B | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發明（設計）人： | 荊二榮 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | G03F9/00 | 分類號： | G03F9/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙面 光刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙面光刻方法，包括如下步驟：
在待光刻的襯底上的一面或兩面制作第一對位標記；所述第一對位標記采用步進式光刻機制作；
利用所述第一對位標記對齊第一次光刻所用的光刻版和襯底，并在所述襯底上制作圖形和第二對位標記；所述第二對位標記采用雙面光刻機制作；
利用所述第二對位標記對齊后續光刻所用的光刻版和襯底，并在所述襯底上制作后續圖形；
所述第一對位標記的精度高于所述第二對位標記的精度。
2.根據權利要求1所述的雙面光刻方法，其特征在于，所述在待光刻的襯底上的一面或兩面制作第一對位標記的步驟中，批量制作所述第一對位標記。
3.根據權利要求1所述的雙面光刻方法，其特征在于，所述待光刻的襯底為硅襯底或玻璃襯底。
4.根據權利要求1所述的雙面光刻方法，其特征在于，所述第一對位標記在待光刻的襯底上的位置與在所述襯底上將要制作的圖形及后續圖形匹配。
5.根據權利要求1所述的雙面光刻方法，其特征在于，所述第二對位標記與第一對位標記重疊。
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