[發明專利]晶圓?晶圓、芯片?晶圓和芯片?芯片鍵合方法有效
| 申請號: | 201410034813.2 | 申請日: | 2014-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN103794522B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | 蔡堅;魏體偉;王謙 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 陳瀟瀟;肖冰濱 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 芯片 方法 | ||
1.一種晶圓-晶圓鍵合方法,該方法包括:
在支撐片的一個表面上形成支撐凸點,將第一晶圓的正面與所述支撐片的具有支撐凸點的表面進行鍵合;
在所述第一晶圓的背面上形成鍵合凸點,其中所述第一晶圓的背面上形成的鍵合凸點的位置與所述支撐片的表面上形成的支撐凸點的位置相對應;
將所述第一晶圓的背面上的鍵合凸點與第二晶圓的鍵合凸點進行鍵合。
2.一種芯片-晶圓鍵合方法,該方法包括:
在支撐片的一個表面上形成支撐凸點,將第一晶圓的正面與所述支撐片的具有支撐凸點的表面進行鍵合;
在所述第一晶圓的背面上形成鍵合凸點,其中所述第一晶圓的背面上形成的鍵合凸點的位置與所述支撐片的表面上形成的支撐凸點的位置相對應;
切割所述第一晶圓獲得第一芯片,所述第一芯片正面具有支撐片,背面具有鍵合凸點;以及
將所述第一芯片的背面上的鍵合凸點與第二晶圓的鍵合凸點進行鍵合。
3.一種芯片-芯片鍵合方法,該方法包括:
在支撐片的一個表面上形成支撐凸點,將第一晶圓的正面與所述支撐片的具有支撐凸點的表面進行鍵合;
在所述第一晶圓的背面上形成鍵合凸點,其中所述第一晶圓的背面上形成的鍵合凸點的位置與所述支撐片的表面上形成的支撐凸點的位置相對應;
切割所述第一晶圓獲得第一芯片,所述第一芯片正面具有支撐片,背面具有鍵合凸點;以及
將所述第一芯片的背面上的鍵合凸點與第二芯片的鍵合凸點進行鍵合。
4.根據權利要求1至3中任一項權利要求所述的方法,其中,通過臨時鍵合膠將所述支撐片與所述第一晶圓進行鍵合。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,通過臨時鍵合膠將所述支撐片與所述第一晶圓進行鍵合包括:
在所述第一晶圓的正面上涂覆所述臨時鍵合膠;
將所述第一晶圓的正面與所述支撐片通過所述臨時鍵合膠進行鍵合。
6.根據權利要求4所述的方法,其中,通過臨時鍵合膠將所述支撐片與所述第一晶圓進行鍵合包括:
在所述支撐片的形成有支撐凸點的一面上涂覆所述臨時鍵合膠;
將所述第一晶圓的正面與所述支撐片通過所述臨時鍵合膠進行鍵合。
7.根據權利要求4所述的方法,其中,所述臨時鍵合膠的厚度與所述支撐片上的支撐凸點的厚度相同。
8.根據權利要求1-3中任一權利要求所述的方法,其中,所述第一晶圓具有硅通孔和至少一個功能電路。
9.根據權利要求8所述的方法,還包括在所述第一晶圓的背面上形成鍵合凸點之前,對所述第一晶圓的背面進行減薄,直至露出所述硅通孔并得到所需厚度的第一晶圓為止。
10.根據權利要求4所述的方法,其中,將所述支撐片與所述第一晶圓進行鍵合的溫度低于所述臨時鍵合膠的軟化溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





