[發明專利]勻氣結構及等離子體系統在審
| 申請號: | 201410032672.0 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN104810238A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 李廣 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 陳振 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 等離子體 系統 | ||
1.一種勻氣結構,其特征在于,包括勻氣板與進氣板;
所述勻氣板上設置通孔;
所述進氣板覆蓋在所述勻氣板的通孔上,所述進氣板上設置噴氣孔。
2.根據權利要求1所述的勻氣結構,其特征在于,所述通孔的尺寸和形狀與所述進氣板的尺寸和形狀相匹配;
所述進氣板活動安裝于所述勻氣板的通孔內。
3.根據權利要求1所述的勻氣結構,其特征在于,所述通孔的數量為多個。
4.根據權利要求1所述的勻氣結構,其特征在于,所述噴氣孔的數量為多個。
5.一種等離子體系統,包括腔體、介質窗與噴嘴,其特征在于,還包括權利要求1至4任一項所述的勻氣結構;
所述介質窗置于所述腔體的開口上;
所述介質窗的中部設置安裝孔,所述噴嘴插入所述安裝孔中;
所述勻氣板置于所述噴嘴的下方,并安裝于所述介質窗上;
氣體從所述噴嘴中流入,經由所述通孔與所述噴氣孔位置對應的重疊部分,通入所述腔體內。
6.根據權利要求5所述的等離子體系統,其特征在于,在所述介質窗靠近所述腔體的端面的中部設置凹槽;
所述安裝孔位于所述凹槽的底部;所述勻氣板內嵌于所述凹槽內;
所述勻氣板與所述凹槽的底部之間具有預設的距離。
7.根據權利要求5所述的等離子體系統,其特征在于,所述介質窗靠近所述腔體的端面為平面;
所述勻氣板為槽形,所述勻氣板的槽形開口朝向所述介質窗。
8.根據權利要求6或7所述的等離子體系統,其特征在于,所述勻氣板活動安裝于所述介質窗上;
所述勻氣板與所述介質窗之間設置密封膠圈。
9.根據權利要求5所述的等離子體系統,其特征在于,所述噴氣孔的形狀為圓形、橢圓形、菱形或方形。
10.根據權利要求5所述的等離子體系統,其特征在于,還包括盲板;
所述盲板的數量與所述進氣板的數量之和等于所述通孔的數量;
當多個所述通孔中的部分所述通孔上未對應覆蓋所述進氣板時,所述盲板覆蓋在未覆蓋所述進氣板的所述通孔上。
11.根據權利要求6或7所述的等離子體系統,其特征在于,所述進氣板通過緊固件安裝于所述勻氣板上。
12.根據權利要求5所述的等離子體系統,其特征在于,所述勻氣板、所述進氣板的材料與所述介質窗相同。
13.根據權利要求12所述的等離子體系統,其特征在于,所述勻氣板、所述進氣板與所述介質窗的材料為石英。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





