[發明專利]多層陶瓷裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410032169.5 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103985542B | 公開(公告)日: | 2017-10-31 |
| 發明(設計)人: | 丁海碩;金斗永;河娜林;金昶勛;樸相鉉 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/12 | 分類號: | H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 金光軍,劉奕晴 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷裝置,包括:
裝置主體,具有彼此間隔開的側面以及連接所述側面的圓周表面;
內部電極,在所述裝置主體內沿所述裝置主體的縱向布置;
外部電極,具有覆蓋所述側面的前部部分以及從所述前部部分延伸以覆蓋所述圓周表面的一部分的帶狀部分;以及
裂紋引導圖案,布置于所述裝置主體內并且將出現在所述圓周表面的裂紋的前進方向引導至所述側面,
其中所述裂紋引導圖案包括:
金屬圖案;以及
氧化物層,形成于所述金屬圖案的表面上,并且
其中,所述氧化物層的厚度和所述裂紋引導圖案的厚度的比率大于0.004并且小于0.760,并且
其中,所述裝置主體包括:
有源區,其中布置所述內部電極;以及
無源區,其是除了所述有源區以外的區域,以及
裂紋引導圖案,布置于所述無源區中。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷裝置,其中,所述金屬圖案從所述側面延伸至所述裝置主體的內部并且所述金屬圖案的延伸長度等于或長于所述帶狀部分的長度。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷裝置,其中,所述金屬圖案包括金屬鎳Ni,并且所述氧化物層是鎳氧化物層。
4.一種多層陶瓷裝置,包括:
裝置主體,具有有源區和無源區;
內部電極,布置于所述有源區中;
外部電極,在覆蓋所述裝置主體的兩端的同時電連接至所述內部電極;以及
裂紋引導圖案,布置于所述無源區中以引導在所述無源區中出現的裂紋從而保持在所述無源區中,
其中所述裂紋引導圖案包括:
金屬圖案;以及
氧化物層,形成于所述金屬圖案的表面上,以及
其中,所述氧化物層的厚度和所述裂紋引導圖案的厚度的比率大于0.004并且小于0.760。
5.一種用于制造多層陶瓷裝置的方法,包括:
制造裝置主體,其具有側面以及連接所述側面的圓周表面;以及
制造外部電極,其覆蓋所述側面以及所述圓周表面的一部分;
其中,制造所述裝置主體包括形成布置于所述裝置主體內的裂紋引導圖案以及將出現在所述圓周表面的裂紋的前進方向引導至所述側面;并且
形成所述裂紋引導圖案包括:
形成金屬圖案;以及
在所述金屬圖案的表面上形成氧化物層,并且
其中,所述氧化物層的厚度和所述裂紋引導圖案的厚度的比率大于0.004并且小于0.760,并且
其中,所述裝置主體包括:
有源區,其中布置有內部電極;以及
無源區,其是除了所述有源區以外的區域,以及
裂紋引導圖案,布置于所述無源區中。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,形成所述氧化物層包括通過控制在制造所述多層陶瓷裝置的焙燒處理期間使用的焙燒爐內用于控制處理氣氛的氧氣的供應量來控制所述氧化物層的厚度。
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