[發明專利]基于三維VS2/ZnO復合納米結構的柔性場電子發射陰極材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201410028270.3 | 申請日： | 2014-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN103762133A | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發明（設計）人： | 宋長青;郁可;尹海宏;朱自強 | 申請（專利權）人： | 華東師范大學 |
| 主分類號： | H01J1/308 | 分類號： | H01J1/308;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董紅曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 三維 vs sub zno 復合 納米 結構 柔性 電子 發射 陰極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種三維VS2/ZnO復合納米結構，其特征在于，其包括VS2納米薄片和ZnO納米顆粒，以所述VS2納米薄片為骨架，所述ZnO納米顆粒均勻分布在所述VS2納米薄片的表面與邊緣，形成所述三維VS2/ZnO復合納米結構。
2.如權利要求1所述的三維VS2/ZnO復合納米結構，其特征在于，所述VS2納米薄片與所述ZnO納米顆粒均處于獨立狀態，未形成化合物。
3.如權利要求1所述的三維VS2/ZnO復合納米結構，其特征在于，所述VS2納米薄片與所述ZnO納米顆粒的納米晶體均為六方晶系。
4.如權利要求1所述的三維VS2/ZnO復合納米結構，其特征在于，所述VS2納米薄片的長邊寬度為0.5μm-2μm；層狀所述VS2納米薄片的單片厚度為10nm-20nm；所述ZnO納米顆粒的直徑為20nm-30nm。
5.一種三維VS2/ZnO復合納米結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)利用水熱法，分別制備VS2納米薄片懸浮液及ZnO納米顆粒懸浮液；
(2)將前述ZnO納米顆粒懸浮液滴入處于超聲處理狀態的VS2納米薄片懸浮液，并超聲處理，靜置后收集沉淀物，清洗并烘干后獲得灰黑色粉末狀VS2/ZnO復合納米顆粒；
(3)在惰性氣體保護氛圍下，將步驟(2)中獲得的VS2/ZnO復合納米顆粒進行退火處理，得到如權利要求1所述的三維VS2/ZnO復合納米結構。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，退火溫度為300℃-350℃，退火時間為30min-60min。
7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，在超聲環境下所述ZnO納米顆粒吸附在所述VS2納米薄片的表面上。
8.一種基于增強PET襯底的三維VS2/ZnO復合納米結構的柔性場電子發射材料，其特征在于，其包括PET襯底、覆在所述PET襯底上的金膜、以及如權利要求1所述的三維VS2/ZnO復合納米結構；其中，所述三維VS2/ZnO復合納米結構旋涂于覆有金膜的PET襯底上。
9.基于增強PET襯底的三維VS2/ZnO復合納米結構的柔性場電子發射材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)利用水熱法分別制備VS2納米薄片懸浮液與ZnO納米顆粒的水懸浮液；
(2)將前述ZnO納米顆粒懸浮液滴入處于超聲處理狀態的VS2納米薄片懸浮液，超聲處理，靜置后收集沉淀物，清洗并烘干后獲得灰黑色粉末狀VS2/ZnO復合納米顆粒；
(3)在惰性氣體保護氛圍下，將步驟(2)中獲得的VS2/ZnO復合納米顆粒進行退火處理，得到三維VS2/ZnO復合納米結構；
(4)將步驟(3)中獲得的VS2/ZnO復合納米結構分散于異丙醇溶劑，超聲處理得到混懸液；
(5)利用濺射法，在所述PET襯底的表面制備一層金膜；
(6)利用旋涂法，將步驟(4)中獲得的混懸液均勻覆蓋在所述金膜上并烘干，得到所述基于PET襯底的三維VS2/ZnO納米結構的柔性場電子發射材料。
10.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中的金膜的厚度為20nm-30nm；所述步驟(6)中的烘干溫度為100℃，烘干時間為60min。
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