[發明專利]一種等離子體背場增強軌道

在審

• 申請號: 201410028250.6
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN103731967A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 王厚生;陳順中;李獻;李蘭凱;龐占忠;戴銀明;王秋良
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所
• 主分類號: H05H1/10
• 分類號: H05H1/10
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 關玲

1.一種等離子體背場增強軌道，其特征在于，所述的等離子體背場增強軌道包括主軌道和梯度外軌；所述的主軌道為水平布置的兩根平行的金屬軌道；所述的梯度外軌由對稱地成對布置于主軌道上下兩側的單邊梯度外軌組成；所述的梯度外軌的梯度沿前進方向為負值，背場增強軌道產生沿前進方向的磁場梯度。

2.根據權利要求1所述的等離子體背場增強軌道，其特征在于，所述的梯度軌道有以下幾種結構模式：

1）漸開型：梯度外軌與主軌道不平行，在等離子前進方向上梯度外軌與主軌道之間的距離越來越大，距離的變化量為線性，即梯度外軌相對于軌道傾斜，每條單邊梯度外軌是直線；

2）漸開型的變形：沿等離子前進方向，梯度外軌與主軌道間距離越來越大，距離變化量非線性，即梯度外軌相對于主軌道傾斜，每條單邊梯度外軌向外彎曲；

3）收縮型：每條單邊梯度外軌的兩根金屬軌道間不平行，在等離子體前進方向上越收越窄；

4）多層遞減型：由多層多對梯度外軌組成，每層梯度外軌均與主軌道平行，每層梯度外軌的單邊梯度外軌的長度沿等離子體前進方向遞減，每層梯度外軌與主軌道的距離沿等離子體前進方向遞減，梯度外軌的層數由沿等離子體前進方向遞減；

5）復合型：所述1）至4）幾種梯度外軌復合使用。