[發(fā)明專利]靈敏放大器及存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410028042.6 | 申請日： | 2014-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN104795088B | 公開（公告）日： | 2018-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊翼 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/06 | 分類號： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靈敏 放大器 存儲器 | ||
1.一種用于讀取存儲單元所存儲的信號的靈敏放大器，其特征在于，所述用于讀取存儲單元所存儲的信號的靈敏放大器至少包括：
第一電流支路，包含待讀的存儲單元，及與所述待讀的存儲單元串聯(lián)的第一開關(guān)管；其中，所述待讀的存儲單元包括兩個串聯(lián)的NMOS管，第一NMOS管的柵極接第一控制信號，第一NMOS管的源極與比較器的正向輸入端連接，第一NMOS管的漏極與第二NMOS管的漏極連接，第二NMOS管的柵極接第二控制信號，第二NMOS管的源極接低電平VSS；所述第一開關(guān)管為NMOS管，所述第一開關(guān)管的柵極接第一控制信號，所述第一開關(guān)管的漏極接電源電壓Vdd，所述第一開關(guān)管的源極與第一NMOS管的源極連接；
第二電流支路，包含由多個與所述待讀的存儲單元所采用的電路相同的電路組合成的組合電路，及與所述組合電路串聯(lián)、且與所述第一開關(guān)管相同的第二開關(guān)管；其中，所述第二開關(guān)管為NMOS管，所述第二開關(guān)管的柵極接第一控制信號，所述第二開關(guān)管的漏極接電源電壓Vdd，所述第二開關(guān)管的源極與所述組合電路連接；
比較器，其一個輸入端連接所述待讀的存儲單元、另一輸入端連接所述組合電路，用于將所述待讀的存儲單元的電壓降與所述組合電路的電壓降的差予以放大后輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于讀取存儲單元所存儲的信號的靈敏放大器，其特征在于：所述組合電路為由兩個與待讀的存儲單元所采用的電路相同的電路串聯(lián)形成的串聯(lián)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于讀取存儲單元所存儲的信號的靈敏放大器，其特征在于：待讀的存儲單元屬于EEPROM中的存儲單元。
4.一種存儲器，其特征在于，在所述存儲器本體中包含權(quán)利要求1至3任一項所述的用于讀取存儲單元所存儲的信號的靈敏放大器。
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