[發(fā)明專利]存儲器裝置和存儲器控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410027308.5
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN104795096B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 河壬喆;蘇仁福
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/40
• 分類號: G11C11/40;G11C16/06
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 湯在彥

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種存儲器裝置，特別關(guān)于具有列解碼器(Column Decoder)的存儲器裝置，其中該列解碼器可用于降低鄰近存儲單元之間的電容耦合效應(Capacitive Coupling Effect)。

背景技術(shù)

圖1是顯示傳統(tǒng)的存儲器裝置100的示意圖。如圖1所示，存儲器裝置100至少包括一存儲單元陣列(Memory Cell Array)110和一列解碼器(Column Decoder)120。為簡化圖式，存儲器裝置100的其余元件省略而未顯示于圖1中。存儲單元陣列110包括多個存儲單元(Memory Cell)。多條字線(Word Line)WL和多條本地位線(Local Bit Line)BL可用于選擇這些存儲單元。另外，列解碼器120可用于選擇性地耦接這些本地位線BL之一者至一整體位線(Global Bit Line)GBL。

圖2是顯示傳統(tǒng)的存儲器裝置100的電容耦合效應(Capacitive Coupling Effect)的示意圖。如圖2所示，存儲單元陣列110可用多個存儲晶體管M1-1至M3-3實施的(其亦可被稱為“存儲單元”)。隨著半導體工藝的發(fā)展，存儲器裝置100的尺寸變得更加微縮，這將使得其內(nèi)的這些存儲晶體管M1-1至M3-3彼此更加靠近，而因鄰近單元之間的寄生電容的影響，更導致嚴重的相互耦合效應。舉例來說，當其中一字線WL2和一本地位線BL2被選擇時，存儲晶體管M1-2、M2-2、M3-2會同時被使能，而一電流I2會流經(jīng)所選擇的本地位線BL2、存儲晶體管M2-2，以及一源極線(Source Line)VL。在理想狀態(tài)下，相鄰近的兩條本地位線BL1、BL3應該要維持浮接狀態(tài)(Float)且無任何電流流過。然而，在實際情況下，因為受到存儲晶體管M1-2、M2-2、M3-2之間的電容耦合效應所影響，仍會有無預期的耦合電流I1、I3分別產(chǎn)生并流經(jīng)存儲晶體管M1-2、M3-2以及未被選擇的本地位線BL1、BL3。此種相互耦合效應可能會導致一些操作錯誤，更降低存儲器裝置100的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：提供一種存儲器裝置和存儲器控制方法，以解決相鄰單元之間的寄生電容的影響而導致晶體管之間嚴重的相互耦合現(xiàn)象。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的方案是：提供一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：一存儲單元陣列，其包括多條偶本地位線和多條奇本地位線；以及一列解碼器，其包括：多個偶通道晶體管，其中每一這些偶通道晶體管的一控制端分別耦接至多條偶選擇線的單獨一條，每一這些偶通道晶體管的一第一端分別耦接至這些偶本地位線的單獨一條，而每一這些偶通道晶體管的一第二端皆耦接至一整體位線；多個偶夾鉗晶體管，其中每一這些偶夾鉗晶體管的一控制端皆耦接至一偶夾鉗線，每一這些偶夾鉗晶體管的一第一端分別耦接至這些偶本地位線的單獨一條，而每一這些偶夾鉗晶體管的一第二端皆耦接至一接地電位；多個奇通道晶體管，其中每一這些奇通道晶體管的一控制端分別耦接至多個奇選擇線的單獨一條，每一這些奇通道晶體管的一第一端分別耦接至這些奇本地位線的單獨一條，而每一這些奇通道晶體管的一第二端皆耦接至該整體位線；以及多個奇夾鉗晶體管，其中每一這些奇夾鉗晶體管的一控制端皆耦接至一奇夾鉗線，每一這些奇夾鉗晶體管的一第一端分別耦接至這些奇本地位線的單獨一條，而每一這些奇夾鉗晶體管的一第二端皆耦接至該接地電位。

在本發(fā)明的一實施例中，當這些偶通道晶體管的一者被選擇并使能時，所有這些偶夾鉗晶體管皆被禁能，而所有這些奇夾鉗晶體管皆被使能，以將所有這些奇本地位線下拉至該接地電位。在一些實施例中，當這些偶通道晶體管的一者被選擇并使能時，其余未被選擇的偶通道晶體管和所有這些奇通道晶體管皆被禁能。在一些實施例中，當這些奇通道晶體管的一者被選擇并使能時，所有這些奇夾鉗晶體管皆被禁能，而所有這些偶夾鉗晶體管皆被使能，以將所有這些偶本地位線下拉至該接地電位。在一些實施例中，當這些奇通道晶體管的一者被選擇并使能時，其余未被選擇的奇通道晶體管和所有這些偶通道晶體管皆被禁能。在一些實施例中，這些偶本地位線分別與這些奇本地位線互相交錯排列。在一些實施例中，該存儲器裝置為一NOR快閃存儲器。在一些實施例中，該存儲單元陣列為一電子抹除式可復寫只讀存儲器。在一些實施例中，這些偶夾鉗晶體管和這些奇夾鉗晶體管皆屬于N型金屬氧化物半導體場效晶體管。在一些實施例中，這些偶通道晶體管和這些奇通道晶體管皆屬于N型金屬氧化物半導體場效晶體管。