[發(fā)明專利]存儲器裝置和存儲器控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410027308.5 | 申請日： | 2014-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN104795096B | 公開（公告）日： | 2017-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 河壬喆;蘇仁福 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/40 | 分類號： | G11C11/40;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127 | 代理人： | 湯在彥 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 裝置 控制 方法 | ||
1.一種存儲器裝置，其特征在于，所述存儲器裝置包括：
一存儲單元陣列，其包括多條偶本地位線和多條奇本地位線；以及
一列解碼器，其包括：
多個偶通道晶體管，其中每一所述偶通道晶體管的一控制端分別耦接至多個偶選擇線的單獨(dú)一條，每一所述偶通道晶體管的一第一端分別耦接至所述偶本地位線的單獨(dú)一條，而每一所述偶通道晶體管的一第二端皆耦接至一整體位線；
多個偶夾鉗晶體管，其中每一所述偶夾鉗晶體管的一控制端皆耦接至一偶夾鉗線，每一所述偶夾鉗晶體管的一第一端分別耦接至所述偶本地位線的單獨(dú)一條，而每一所述偶夾鉗晶體管的一第二端皆耦接至一接地電位；
多個奇通道晶體管，其中每一所述奇通道晶體管的一控制端分別耦接至多個奇選擇線的單獨(dú)一條，每一所述奇通道晶體管的一第一端分別耦接至所述奇本地位線的單獨(dú)一條，而每一所述奇通道晶體管的一第二端皆耦接至該整體位線；以及
多個奇夾鉗晶體管，其中每一所述奇夾鉗晶體管的一控制端皆耦接至一奇夾鉗線，每一所述奇夾鉗晶體管的一第一端分別耦接至所述奇本地位線的單獨(dú)一條，而每一所述奇夾鉗晶體管的一第二端皆耦接至該接地電位。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，當(dāng)所述偶通道晶體管的一者被選擇并使能時，所有所述偶夾鉗晶體管皆被禁能，而所有所述奇夾鉗晶體管皆被使能，以將所有所述奇本地位線下拉至該接地電位。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，當(dāng)所述偶通道晶體管的一者被選擇并使能時，其余未被選擇的偶通道晶體管和所有所述奇通道晶體管皆被禁能。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，當(dāng)所述奇通道晶體管的一者被選擇并使能時，所有所述奇夾鉗晶體管皆被禁能，而所有所述偶夾鉗晶體管皆被使能，以將所有所述偶本地位線下拉至該接地電位。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，當(dāng)所述奇通道晶體管的一者被選擇并使能時，其余未被選擇的奇通道晶體管和所有所述偶通道晶體管皆被禁能。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述偶本地位線分別與所述奇本地位線互相交錯排列。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該存儲器裝置為一NOR快閃存儲器。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該存儲單元陣列為一電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述偶夾鉗晶體管和所述奇夾鉗晶體管皆屬于N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述偶通道晶體管和所述奇通道晶體管皆屬于N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
11.一種存儲器控制方法，其特征在于，所述存儲器控制方法包括下列步驟：
提供一存儲單元陣列，其中該存儲單元陣列包括多個偶本地位線和多個奇本地位線；
提供一列解碼器，其中該列解碼器包括多個偶通道晶體管、多個偶夾鉗晶體管、多個奇通道晶體管，以及多個奇夾鉗晶體管，其中所述偶通道晶體管選擇性地耦接所述偶本地位線至一整體位線，所述偶夾鉗晶體管選擇性地耦接所述偶本地位線至一接地電位，所述奇通道晶體管選擇性地耦接所述奇本地位線至該整體位線，而所述奇夾鉗晶體管選擇性地耦接所述奇本地位線至該接地電位；
選擇并使能所述偶通道晶體管的一者或是所述奇通道晶體管的一者；
當(dāng)所述偶通道晶體管的一者被選擇并使能時，禁能所有所述偶夾鉗晶體管，并使能所有所述奇夾鉗晶體管，以將所有所述奇本地位線下拉至該接地電位；以及
當(dāng)所述奇通道晶體管的一者被選擇并使能時，禁能所有所述奇夾鉗晶體管，并使能所有所述偶夾鉗晶體管，以將所有所述偶本地位線下拉至該接地電位。
12.如權(quán)利要求11所述的存儲器控制方法，其特征在于，所述存儲器控制方法還包括：
當(dāng)所述偶通道晶體管的一者被選擇并使能時，禁能其余未被選擇的偶通道晶體管和所有所述奇通道晶體管。
13.如權(quán)利要求11所述的存儲器控制方法，其特征在于，所述存儲器控制方法還包括：
當(dāng)所述奇通道晶體管的一者被選擇并使能時，禁能其余未被選擇的奇通道晶體管和所有所述偶通道晶體管。
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