[發明專利]石墨烯透明導電膜銅鋅錫硒薄膜太陽能電池

在審

• 申請號: 201410025934.0
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN104795455A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 馬給民;保羅比蒂
• 申請（專利權）人: 東莞日陣薄膜光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池（見說明書附圖1），其特征在于：在鈉鈣玻璃基板?(1)?上鍍有約0.35至1.0微米厚鉬薄膜，?在所述鉬薄膜鍍有約0.7至1.5微米厚，或1.0微米標準厚度的“銅鋅錫硒”薄膜，在“銅鋅錫硒”薄膜及退火后的晶體?(3)?與其上表面有“p-n結”薄膜區域（11）。

2.根據權利要求1所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“銅鋅錫硒”薄膜及晶體（3）上，鍍有0.05微米厚的“硫化鎘”或“硫化鋅（4）”。

3.根據權利要求2所述的低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“硫化鎘”或“硫化鋅（4）”上，鍍約0.1微米厚的絕緣層氧化鋅（5）。

4.??根據權利要求3所述的低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“氧化鋅（5）”上，鍍約0.35至1.9微米厚的“石墨烯透明導電膜（TCO）”為前電極（6）”。

5.根據權利要求4所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“石墨烯透明導電膜（TCO）”為前電極（6）”上，可選擇性的鍍上約0.05微米厚的鎳（7），該鎳（7）上鍍有約3.0微米厚鋁膜（8）。

6.?根據權利要求5所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述鋁膜（8）上，可選擇性的鍍上約0.05微米厚的一層保護鎳（9）。

7.?根據權利要求6所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述保護鎳（9）上，放置約1.0至4.0毫米厚的鈉鈣覆蓋玻璃（10）。