[發(fā)明專利]多層陶瓷裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410025306.2
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN104008881B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設計）人: 丁海碩;金斗永;金基源;張臺振;具賢熙;文智熙;任珍亨;陳連植;全炳俊
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,張英

相關申請的引用

本申請要求于2013年2月26日提交的題名為“多層陶瓷裝置（Multilayer Ceramic Device）”的韓國專利申請第10-2013-0020384號的權益，通過引用將其全部內容結合于本申請中。

技術領域

本發(fā)明涉及一種多層陶瓷裝置，并且更具體地，涉及一種多層陶瓷裝置，其中防止了由于裂縫導致的該裝置的功能劣化并且增強該裝置的外部裝置的耐熱性。

背景技術

片式元件（芯片元件）諸如一般的薄膜型多層陶瓷冷凝器（MLCC）包括裝置主體、內部電極和外部電極。裝置主體具有其中堆疊有多個介質片（稱為生片（green sheet））的結構，并且在每一個介質片上裝備（provide）內部電極。此外，外部電極電連接至內部電極并覆蓋裝置主體的兩端。

通常，因為多層陶瓷裝置被設計成注重于裝置特性的改善，因此它們相對易受來自外部的物理壓力或者沖擊、熱沖擊、振動等。因此，當將物理或熱沖擊施加至多層陶瓷裝置時，裝置主體中出現(xiàn)裂縫。通常地，裂縫出現(xiàn)在裝置主體的鄰近于外部電極的末端的表面上，并且然后向裝置主體內擴展。

已知一種防止片式元件上由裂縫引起的損壞的技術，其中將外部電極制成能夠吸收來自外部的沖擊。例如，外部電極可以包括直接覆蓋裝置主體的內部金屬層、暴露于外部的外部金屬層、以及在內部金屬層與外部金屬層之間的中間層。當從外部施加沖擊時，中間層與內部金屬層分離以吸收沖擊，因此盡管出現(xiàn)彎曲裂縫，仍保持片式元件可正常操作。

然而，中間層由金屬和聚合物樹脂的混合物制成，并且在用于制造片式元件的高溫處理過程期間聚合物樹脂熱降解（thermodegrade）的，使得中間層和內部金屬層之間有間隙，從而引起孔穴。此孔穴和分層問題是片式元件本身的問題，與其中具有片式元件的電子裝置的操作無關，但這導致片式元件的劣化。

[相關技術文獻]

[專利文獻]

(專利文獻1)韓國專利特開公開第10-2006-0047733號

發(fā)明內容

本發(fā)明的目標是提供一種多層陶瓷裝置，盡管來自外部的沖擊造成裂縫但是該多層陶瓷裝置仍可操作。

本發(fā)明的另一目標是提供一種多層陶瓷裝置，其中增強了外部電極的耐熱性。

本發(fā)明的又一目標是提供一種多層陶瓷裝置，其中防止了在高溫處理過程中彼此堆疊的外部電極的分層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供一種多層陶瓷裝置，包括：裝置主體；內部電極，被布置在裝置主體中；以及外部電極，被布置在裝置主體的外部并電連接至內部電極；其中，外部電極包括：內層，覆蓋裝置主體；外層，覆蓋內層并暴露于外部；以及中間層，布置在內層和外層之間，該中間層由銅金屬和樹脂的混合物制成，并且銅金屬的表面涂覆有氧化物膜。

氧化物膜可以具有小于102nm的厚度。

氧化物膜可以具有大于4nm的厚度。

氧化物膜可以具有大于4nm且小于102nm的厚度。

金屬可以包括銅（Cu），并且樹脂可以包括環(huán)氧樹脂。

中間層是當其吸收來自外部的沖擊時與內層分離的軟電極層。

內層可以包括銅（Cu）、銀（Ag）、鎳（Ni）和錫（Sn）中的至少一種，并且外層可以包括鎳（Ni）和錫（Sn）中的至少一種。

裝置主體可具有側面和連接側面的環(huán)形表面，并且外部電極可具有覆蓋該側面的正面部和從該正面部延伸以覆蓋該環(huán)形表面的部分的帶狀部。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的多層陶瓷裝置的視圖。

圖2是示出圖1中所示的中間層的組合物的視圖；以及

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的多層陶瓷裝置的外部電極的中間層的組合物的照片。

具體實施方式

參照附圖從以下示例性實施方式的描述，本發(fā)明和其實現(xiàn)方法的各種優(yōu)點和特征將變得顯而易見。然而，可以以不同的方式修改本發(fā)明并且不應認為本發(fā)明受限于在此提出的實施方式。相反，可以提供這些實施方式使得本公開徹底并完整，并且將向本領域中的技術人員充分傳達本發(fā)明的范圍。貫穿本說明書的相同參考標號表示相同元件。