[發(fā)明專利]有極型低通濾波器、及包括其的多路分離器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410025052.4 | 申請日: | 2014-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN103997309B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 溝口直樹 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H03H5/02 | 分類號: | H03H5/02;H03H7/075;H03H3/02;H01F27/00;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 張鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有極型低通 濾波器 包括 分離器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在通頻帶附近具有衰減極的低通濾波器、及包括該低通濾波器的多路分離器。
背景技術(shù)
以往,作為這種低通濾波器(以下有時稱為LPF(Low?Pass?Filter:低通濾波器)),例如存在下述專利文獻1所記載的情況。該LPF包括串聯(lián)臂、以及例如三個并聯(lián)臂。該串聯(lián)臂上設(shè)置有例如兩個并聯(lián)諧振電路。第一并聯(lián)臂設(shè)置在LPF的輸入端子和前級并聯(lián)諧振電路之間。另外,第二并聯(lián)臂設(shè)置在兩個并聯(lián)諧振電路之間。第三并聯(lián)臂設(shè)置在后級并聯(lián)諧振電路和LPF的輸出端子之間。各并聯(lián)臂上各設(shè)置有一個電容器。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2010-232765號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
一般而言,按照要求規(guī)格,確定LPF的通頻帶、衰減極的頻率位置及尺寸等。然而,若想要使LPF小型化,有時無法安裝足夠數(shù)量的電感器元件或電容器元件,其結(jié)果是,存在無法在所期望的頻率位置設(shè)置衰減極的問題。
因此,本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠在所期望的頻率位置設(shè)置衰減極的低通濾波器、及包括該低通濾波器的多路分離器。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
為了到達上述目的,本發(fā)明的一個方面是一種有極型低通濾波器,包括:層疊有多個基材層的層疊體;形成于所述層疊體表面的輸入端子、輸出端子及接地端子;以及形成于所述層疊體內(nèi)的至少一個接地導(dǎo)體,連接所述輸入端子和所述輸出端子的串聯(lián)臂具有包含電容器及電感器的并聯(lián)諧振電路,連接所述串聯(lián)臂和所述接地端子的并聯(lián)臂至少具有電容器,至少所述并聯(lián)諧振電路中所包含的電容器包含形成于所述層疊體內(nèi)的多個圖案導(dǎo)體,所述至少一個接地導(dǎo)體、與所述多個圖案導(dǎo)體中的至少一個圖案導(dǎo)體在所述基材層的層疊方向上相對置。
另外,本發(fā)明的另一個方面是一種多路分離器,包括:層疊有多個基材層的層疊體;形成于所述層疊體表面的輸入端子、輸出端子及接地端子;形成于所述層疊體內(nèi)的至少一個接地導(dǎo)體;設(shè)置于所述層疊體中,且包含電容器和電感器的高通濾波器;以及設(shè)置于所述層疊體中的有極型低通濾波器,所述有極型低通濾波器中,連接所述輸入端子和所述輸出端子的串聯(lián)臂具有包含電容器及電感器的并聯(lián)諧振電路,連接所述串聯(lián)臂和所述接地端子的并聯(lián)臂至少具有電容器,至少所述并聯(lián)諧振電路中所包含的電容器包含形成于所述層疊體內(nèi)的多個圖案導(dǎo)體,所述至少一個接地導(dǎo)體、與所述多個圖案導(dǎo)體中的至少一個圖案導(dǎo)體在所述基材層的層疊方向上相對置。
發(fā)明效果
根據(jù)上述方面,可提供能夠在所期望的頻率位置設(shè)置衰減極的有極型低通濾波器、及包括該有極型低通濾波器的多路分離器。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的一個實施方式所涉及的多路分離器1的等效電路圖。
圖2A是表示圖1的LPF5及HPF7的通頻帶特性等的圖。
圖2B是表示到圖2A的200MHz為止的LPF及HPF的通頻帶特性等的曲線圖。
圖3A是多路分離器1的立體圖。
圖3B是圖3A的多路分離器1的正視圖。
圖4A是圖3B所示的基材層M1~M5的俯視圖。
圖4B是圖3B所示的基材層M6~M10的俯視圖。
圖4C是圖3B所示的基材層M11~M15的俯視圖。
圖4D是圖3B所示的基材層M16~M20的俯視圖。
圖5是比較例所涉及的多路分離器1’的等效電路圖。
圖6是圖5的多路分離器1’的基材層M16~M20的俯視圖。
圖7A是表示圖5的LPF5’及HPF7’的通頻帶特性等的圖。
圖7B是表示到圖7A的200MHz為止的LPF5’及HPF7’的通頻帶特性的曲線圖。
圖8是變形例所涉及的多路分離器1a的等效電路圖。
圖9A是表示圖8的LPF5a及HPF7a的通頻帶特性等的圖。
圖9B是表示到圖9A的200MHz為止的LPF5a及HPF7a的通頻帶特性等的圖。
具體實施方式
(實施方式)
下面,首先,參照圖1~圖7B,對一個實施方式所涉及的有極型低通濾波器、及包括該有極型低通濾波器的多路分離器進行詳細說明。
(有極型低通濾波器和多路分離器的等效電路)
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