[發(fā)明專利]半導體器件以及制造半導體器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410023801.X
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN103972253A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 三木知子
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導體器件，包括：

光電轉換部，由半導體制成；

濾色器，由被添加了金屬離子的無機材料制成；以及

吸附膜，形成在該光電轉換部和該濾色器之間，并且構造為捕獲該金屬離子。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中該吸附膜是硼磷硅酸鹽玻璃（BPSG）膜和磷硅酸鹽玻璃（PSG）膜之一。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括形成在該光電轉換部和該濾色器之間的防擴散膜，該防擴散膜構造為防止該金屬離子的擴散。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中該防擴散膜是氮化硅膜和氮氧化硅膜之一。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

多個該光電轉換部；以及

多個轉移部，與該多個光電轉換部交替設置，其中

該濾色器具有墩狀凸起部分，其凸起量從對應于每一個相鄰形成的該轉移部的部分到所述光電轉換部逐漸增加。

6.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

形成由半導體制成的光電轉換部；

利用被添加了金屬離子的無機材料形成濾色器；以及

在該光電轉換部和該濾色器之間形成吸附膜，該吸附膜構造為捕獲該金屬離子。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在該濾色器的形成中，該濾色器通過晶化含金屬的氧化硅而制成，該含金屬的氧化硅通過四氧基硅烷和金屬醇鹽之間的水解反應產生。