[發明專利]一種晶體硅太陽能電池片的衰減方法及衰減裝置有效
| 申請號: | 201410022208.3 | 申請日: | 2014-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN103762275B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發明(設計)人: | 孟夏杰;郭明杰;王栩生;章靈軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人: | 陶海鋒,陸金星 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 衰減 方法 裝置 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池片的衰減方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)?在電池片的正面或/和背面沉積薄膜;
所述電池片的正面沉積氮化硅薄膜,所述電池片的背面沉積氮化硅薄膜和氧化鋁薄膜中的一種或兩種;
(2)?將至少2片所述電池片按正負極性循序層疊在一起,組成電池片組;
(3)?將步驟(1)的電池片組通入正向直流電流,電流密度為40~500mA/cm2,將電池片組的溫度穩定在120~220℃;通電30~180分鐘后,停止通電;
(4)?將電池片組冷卻至室溫,即可得到晶體硅太陽能電池片。
2.根據權利要求1所述的衰減方法,其特征在于:所述步驟(1)中,薄膜的沉積方法為等離子氣相沉積或者原子層沉積。
3.根據權利要求1所述的衰減方法,其特征在于:所述步驟(2)中,將5~50片電池片層疊在一起,形成電池片組。
4.根據權利要求1所述的衰減方法,其特征在于:所述步驟(3)中,將步驟(1)的電池片組通入正向直流電流,電流密度為100~200mA/cm2,將電池片組的溫度穩定在160~180℃;通電60~100分鐘后,停止通電。
5.根據權利要求1所述的衰減方法,其特征在于:所述步驟(4)中,自然冷卻,將電池片組冷卻至室溫。
6.一種晶體硅太陽能電池片的衰減裝置,包括支架(1)、電源(5),其特征在于:所述支架內設有至少1組衰減機構;
所述衰減機構包括設于支架上的上壓板和下壓板,以及驅動裝置;所述上壓板和下壓板上下相對設置,其中一個壓板和支架固定連接,另一個壓板與所述驅動裝置的輸出端連接;
所述上壓板和下壓板的接觸端均設有散熱塊(2),并通過散熱塊實現上下壓合;
所述上壓板和下壓板的散熱塊分別通過導線與電源連接形成閉合回路;
所述支架上還設有散熱風扇(3);
所述衰減裝置還包括測溫裝置。
7.根據權利要求6所述的晶體硅太陽能電池片的衰減裝置,其特征在于:所述支架內設有2組衰減機構,2組衰減機構之間串聯連接。
8.根據權利要求6所述的晶體硅太陽能電池片的衰減裝置,其特征在于:所述下壓板和支架固定連接,上壓板與所述驅動裝置的輸出端連接。
9.根據權利要求6所述的晶體硅太陽能電池片的衰減裝置,其特征在于:所述測溫裝置包括溫度顯示器(6)和開口銅片(8),所述開口銅片與電池片組配合,其內設有至少1個熱電偶(9)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





