[發明專利]成膜方法和成膜裝置

有效

• 申請號: 201410019338.1
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN103924220B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 加藤壽;中坪敏行;三浦繁博
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/455
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

本發明將2013年1月16日提出的日本特愿2013-005778號作為主張優先權的基礎申請，基于該申請主張優先權，并通過參照將其全部內容引入到本發明中。

技術領域

本發明涉及一種通過一邊使載置有多個基板的旋轉臺旋轉、一邊交替供給彼此反應的反應氣體而在多個基板的各自的表面上層疊反應生成物而在基板表面上形成薄膜的成膜方法或者成膜裝置。

背景技術

從半導體存儲元件的低成本化的觀點出發，推進了半導體晶圓（以下稱為“基板”）的大口徑化。與之相伴隨，謀求基板表面內的均勻性的提高。作為響應這樣的要求的成膜方法，存在被稱為原子層成膜（ALD、Atomic Layer Deposition）法或者分子層成膜（MLD、Molecular Layer Deposition）法的成膜方法。

在ALD法中，反復進行如下循環：使彼此反應的兩種反應氣體中的一種反應氣體吸附于基板表面，使另一種反應氣體與已吸附的反應氣體反應。由此，在ALD法中，在基板上生成一種反應氣體與另一種反應氣體反應的反應生成物，并將所生成的反應生成物在基板上層疊，從而在基板表面上成膜。

在日本特開2011-40574以及日本特開2010-245448中，作為采用了ALD法的成膜裝置，公開有如下技術：在旋轉臺上沿圓周方向排列5張基板，并且從配置于旋轉臺的上方的多個氣體噴嘴供給反應氣體。

發明內容

發明要解決的問題

在日本特開2011-40574所公開的成膜裝置中，公開有如下技術：在圓周方向上與氣體噴嘴分開的位置配置有用于進行等離子體改性的構件，通過對基板上的反應生成物進行等離子體改性而謀求薄膜的致密化。然而，在等離子體改性中，在基板的表面形成有例如數十到數百的深寬比的孔或者槽等凹部的情況下，存在該凹部的深度方向上的改性的程度不一致的情況。

在日本特開2010-245448所公開的成膜裝置中，公開有如下技術：在旋轉臺的圓周方向上與各氣體噴嘴隔開的位置設置有用于進行退火處理（改性處理）的加熱燈，利用加熱燈對基板上的反應生成物進行加熱。然而，在專利文獻2所公開的成膜裝置中，存在如下情況：在對多個基板依次進行改性處理時，改性處理需要長時間。此外，在專利文獻2中，并未記載各基板的輸入、成膜、改性以及基板的輸出的具體的處理順序。

用于解決問題的方案

因此，本發明的實施例的目的在于提供一種新穎且有用的成膜方法或者成膜裝置。

本發明的一個技術方案提供一種成膜方法，用于對多個基板進行成膜，該成膜方法包括以下步驟：輸入步驟，使沿圓周方向具有多個基板載置部的旋轉臺間歇性地旋轉而將多個上述基板載置部依次配置于輸入輸出區域，并將基板依次載置于所配置的上述基板載置部；成膜步驟，反復多次進行通過使上述旋轉臺旋轉而使上述多個基板公轉、并且將彼此反應的反應氣體交替地向基板表面供給的循環，而在基板上層疊上述反應氣體的反應生成物，從而在基板表面上形成薄膜；改性步驟，對通過使上述旋轉臺間歇性地旋轉而被依次配置在與上述輸入輸出區域相鄰的加熱區域中的基板分別進行加熱，對上述薄膜進行改性；以及輸出步驟，接著改性步驟，利用間歇性地旋轉的上述旋轉臺將在上述改性步驟中改性了上述薄膜的基板依次配置在上述輸入輸出區域，并將所配置的基板依次輸出。此外，也可以是如下的成膜方法：在上述改性步驟中，對上述多個基板中的一個基板進行加熱而進行改性，接著旋轉上述旋轉臺而將與上述一個基板相鄰的另一個基板配置于上述加熱區域，接著對所配置的上述另一個基板進行改性，在上述輸出步驟中，在利用上述改性步驟對上述另一個基板進行改性的期間，將在該改性步驟中改性了的上述一個基板輸出。此外，也可以是如下的成膜方法：在上述改性步驟中，使用被配置于上述旋轉臺的上方的加熱燈來向該旋轉臺照射光，從而將上述旋轉臺的局部區域作為上述加熱區域來進行加熱。此外，也可以是如下的成膜方法：在上述改性步驟中，將配置于上述加熱區域中的基板向上方移動，在使該基板接近上述加熱燈之后照射上述光。