[發(fā)明專利]掩模組件及使用掩模組件的薄膜沉積方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410017383.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104152845B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高政佑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓芳;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模組件 掩模框架 薄膜沉積 開(kāi)口 四邊 對(duì)角線方向 彼此面對(duì) 多個(gè)基板 相交處 沉積 掩模 | ||
1.一種掩模組件,所述掩模組件包括:
掩模框架,包括第一邊、第二邊、第三邊和第四邊,第一邊、第二邊、第三邊和第四邊形成矩形;
窗口,由矩形的內(nèi)側(cè)限定;
多個(gè)基板安放部分,被構(gòu)造為從矩形的至少兩個(gè)角朝著窗口突出,所述至少兩個(gè)角中的兩個(gè)角沿矩形的對(duì)角線方向彼此面對(duì);
掩模,固定到掩模框架,掩模包括布置為與窗口相對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)口,
其中,基板安放部分與掩模接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述多個(gè)基板安放部分的形狀從由三角形、矩形、扇形和從矩形去除扇形而獲得的形狀組成的組中選擇。
3.如權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,掩模框架的厚度比掩模的厚度厚。
4.如權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,掩模是一體型掩模或分離型掩模,在一體型掩模中,所述多個(gè)開(kāi)口形成在一個(gè)金屬板上,在分離型掩模中,所述多個(gè)開(kāi)口分開(kāi)地形成在多個(gè)金屬板上。
5.如權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,所述多個(gè)開(kāi)口形成在掩模上,使得所述多個(gè)開(kāi)口不與基板安放部分疊置。
6.如權(quán)利要求1所述的掩模組件,其中,焊接部分形成在掩模的邊框上,邊框?qū)?yīng)于掩模框架的各個(gè)邊。
7.如權(quán)利要求6所述的掩模組件,其中,輔助焊接部分形成在掩模的一部分上,掩模的所述一部分對(duì)應(yīng)于掩模框架的所述多個(gè)基板安放部分。
8.一種薄膜沉積方法,所述薄膜沉積方法包括:
準(zhǔn)備包括第一邊、第二邊、第三邊和第四邊的掩模框架,第一邊、第二邊、第三邊和第四邊形成矩形,矩形的內(nèi)側(cè)限定窗口,掩模框架具有多個(gè)基板安放部分,所述多個(gè)基板安放部分被構(gòu)造為從矩形的至少兩個(gè)角朝窗口突出,所述至少兩個(gè)角中的兩個(gè)角沿矩形的對(duì)角線方向彼此面對(duì);
在掩模框架上布置包括多個(gè)開(kāi)口的掩模并將掩模固定到掩模框架,開(kāi)口被布置為與窗口相對(duì)應(yīng);
在掩模上安放基板,使得基板的外側(cè)被布置為與掩模框架的第一邊、第二邊、第三邊和第四邊的內(nèi)側(cè)貼合;
通過(guò)窗口和所述多個(gè)開(kāi)口在基板上沉積沉積材料。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜沉積方法,其中,準(zhǔn)備掩模框架的步驟包括形成基板安放部分,使得基板安放部分的形狀從由三角形、矩形、扇形和從矩形去除扇形而獲得的形狀組成的組中選擇。
10.如權(quán)利要求8所述的薄膜沉積方法,其中,準(zhǔn)備掩模框架的步驟包括形成掩模框架,使得掩模框架的厚度比掩模的厚度厚。
11.如權(quán)利要求8所述的薄膜沉積方法,其中,固定掩模的步驟包括將掩模制備成一體型掩模或分離型掩模,在一體型掩模中,所述多個(gè)開(kāi)口形成在一個(gè)金屬板上,在分離型掩模中,所述多個(gè)開(kāi)口分開(kāi)地形成在多個(gè)金屬板上。
12.如權(quán)利要求8所述的薄膜沉積方法,其中,固定掩模的步驟包括形成掩模,使得所述多個(gè)開(kāi)口不與基板安放部分疊置。
13.如權(quán)利要求8所述的薄膜沉積方法,其中,固定掩模的步驟包括在掩模的邊框上形成焊接部分,掩模的邊框?qū)?yīng)于掩模框架的各個(gè)邊。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜沉積方法,其中,固定掩模的步驟包括在掩模的一部分上形成輔助焊接部分,掩模的所述一部分對(duì)應(yīng)于掩模框架的所述多個(gè)基板安放部分。
15.如權(quán)利要求13所述的薄膜沉積方法,其中,安放基板的步驟包括準(zhǔn)備基板作為用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的基板。
16.如權(quán)利要求13所述的薄膜沉積方法,其中,沉積的步驟包括準(zhǔn)備沉積材料,所述沉積材料包括用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的金屬層的金屬材料或用于形成有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410017383.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





