[發(fā)明專利]一種化合物半導(dǎo)體襯底的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410016843.0
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN103794471A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳邦明;常永偉;王曦
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新儲集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種化合物半導(dǎo)體襯底制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一施主襯底，在所述施主襯底上制備一氣體收集緩沖層后，繼續(xù)在所述氣體收集緩沖層上方制備一外延層；

進(jìn)行離子注入工藝；在所述外延層上方制備一氧化層；

提供一支撐襯底，并與上述處理后的施主襯底鍵合；

將完成以上步驟制備形成的結(jié)構(gòu)上下翻轉(zhuǎn)后并進(jìn)行退火工藝，在氣體收集緩沖層附近起泡剝離，移除所述氣體收集緩沖層及施主襯底，形成所述化合物半導(dǎo)體襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述施主襯底材料為GaAs；

所述施主襯底直徑2～6英寸，厚度為0.1～1mm。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過外延生長工藝制備形成所述氣體收集緩沖層；

其中，所述氣體收集緩沖層材質(zhì)為InGaAs，且所述氣體收集緩沖層的厚度小于20nm。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述外延層材質(zhì)為單晶GaAs層，且該外延層厚度為1～1000nm。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用氫離子和/或氦離子進(jìn)行離子注入工藝，注入能量為10keV～1000keV，注入劑量為1E15cm^-2～5E17cm^-2。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用等離子化學(xué)氣相沉積工藝制備形成所述氧化層，所述氧化層為二氧化硅層；

所述二氧化硅層厚度為0.5～500μm。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述支撐襯底為單晶硅或多晶硅襯底，其表面經(jīng)過熱氧化處理形成有一層二氧化硅層。

8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，采用熱氧化工藝于所述單晶硅或多晶硅襯底的表面制備形成所述二氧化硅層。

9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，通過疏水鍵合、親水鍵合或等離子輔助鍵合將所述支撐襯底表面的二氧化硅層與外延層上方的氧化物層鍵合。

10.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，進(jìn)行退火工藝時(shí)，溫度為30～700℃。