[發明專利]一種降低鋁背發射極N型太陽電池背表面漏電的方法無效
| 申請號： | 201410011631.3 | 申請日： | 2014-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN103904159A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 王單單 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人： | 吳關炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 發射極 太陽電池 表面 漏電 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低鋁背發射極N型太陽電池背表面漏電的方法，其特征在于：采用單面濕化學腐蝕設備，對生長鈍化膜后的硅片背表面進行化學處理，其步驟為：
（1）在5wt%HF溶液中處理25～35s；
（2）用去離子水沖洗；
（3）82～88℃條件下，20wt%NaOH溶液中處理25～35s；
（4）用去離子水沖洗。
2.如權利要求1所述的一種降低鋁背發射極N型太陽電池背表面漏電的方法，其特征在于：所述單面濕化學腐蝕設備為Schmid或RENA濕法刻蝕機臺。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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